摘要:使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝,實(shí)現(xiàn)電阻的大幅降低封面圖:正文:作者:泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配決定,并隨尺寸縮小而顯著提升。通常,銅線的制作流程是... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
半導(dǎo)體金屬線電阻沉積和刻蝕技術(shù) 2024-8-15 15:49
作者:泛林集團(tuán)公司副總裁兼電介質(zhì)原子層沉積產(chǎn)品總經(jīng)理 Aaron Fellis隨著電子設(shè)備精密化,人們愈發(fā)要求半導(dǎo)體技術(shù)能以更低的成本實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的性能和更大的容量。這些趨勢(shì)推動(dòng)了半導(dǎo)體技術(shù)的重大進(jìn)步,在過(guò)去十年中2D NAND逐漸過(guò)渡到3D NAND。邏輯領(lǐng)域的3D過(guò)渡也已經(jīng)開始,F(xiàn)inFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù)... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
3D NAND GAA晶體管 存儲(chǔ)器 (DRAM) 2023-6-2 13:30