據臺媒《自由時報》報道,晶圓代工大廠臺積電位于高雄楠梓科學園區第一座2nm晶圓廠(P1)已經邁入量產階段,月產能上看1萬片。高雄第二座2nm晶圓廠(P2)也已開始設備裝機,預計將于今年年底前進行試產。 供應鏈設備業者透露,臺積電今年3月31日在高雄舉行2nm擴產典禮,其中主要是P2廠上梁儀式,經過... (來源:新聞頻道)
臺積電晶圓廠 2025-8-5 14:24
在半導體工藝演進到2nm,1nm甚至0.7nm等節點以后,晶體管結構該如何演進?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過,產業對其可制造心存疑慮,根據imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明,這家研究巨頭開發了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法,解決了制造難題... (來源:技術文章頻道)
晶體管 2025-6-19 16:12
在IEDM2024上,英特爾代工的技術研究團隊展示了晶體管和封裝技術的開拓性進展,有助于滿足未來AI算力需求。IEDM 2024(2024年IEEE國際電子器件會議)上,英特爾代工展示了多項技術突破,助力推動半導體行業在下一個十年及更長遠的發展。具體而言,在新材料方面,減成法釕互連技術(subtractive Rutheni... (來源:新聞頻道)
英特爾 IEDM2024 2024-12-9 11:20
作者:泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理 Aaron Fellis隨著電子設備精密化,人們愈發要求半導體技術能以更低的成本實現更優的性能和更大的容量。這些趨勢推動了半導體技術的重大進步,在過去十年中2D NAND逐漸過渡到3D NAND。邏輯領域的3D過渡也已經開始,FinFET(鰭式場效應晶體管)技術... (來源:技術文章頻道)
3D NAND GAA晶體管 存儲器 (DRAM) 2023-6-2 13:30
在晶體管誕生75周年之際,英特爾在IEDM 2022上宣布將把封裝技術的密度再提升10倍,并使用厚度僅三個原子的新材料推進晶體管微縮。在IEDM 2022(2022 IEEE國際電子器件會議)上,英特爾發布了多項突破性研究成果,繼續探索技術創新,以在未來十年內持續推進摩爾定律,最終實現在單個封裝中集成一萬億個晶... (來源:新聞頻道)
英特爾 晶體管芯片 2022-12-6 11:18
據韓國媒體報道,三星電子的代工部門Samsung Foundry已與英偉達、高通、IBM、百度等公司簽訂合同,使用3nm制程技術為他們制造芯片。2021年6月底,三星正式宣布成功流片3nm,流片成功意味著距離量產只有一步之遙。今年6月30日,該公司正式宣布成功量產3nm,首批3nm晶圓于今年7月25日出貨。此前,有報道稱... (來源:新聞頻道)
三星 3nm制程工藝 2022-11-24 13:53
三星的晶圓代工部門最近負面不斷,此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率,以致于高通這樣的VIP客戶都要出走,重新使用臺積電生產驍龍8處理器。 不過從技術上來說,三星現在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠,雖然在7nm、5nm及4nm節點上落后了一些,但在接下來的... (來源:新聞頻道)
三星3nm晶圓代工 2022-3-10 09:55
在過去的十年里,對于體積更小、密度更高、性能更強大的芯片的需求一直在推動半導體制造商從平面結構向越來越復雜的三維(3D)結構轉型。原因很簡單,垂直堆疊可以實現更高的密度。 使用3D架構來支持先進邏輯和存儲器應用代表了半導體行業下一個重要的技術拐點。非易失性存儲首先實現了這一技術拐點... (來源:新聞頻道)
泛林集團刻蝕設備 2022-2-28 13:29
作為GAA制造流程的一環,子鰭可能引發寄生溝道效應等副作用,導致GAA晶體管的器件性能下降。為此,中科院微電子所先導工藝研發中心團隊開發了縮窄子鰭的工藝改進方案,可有效改善寄生溝道帶來的電特性衰減,有望應用于亞3nm先進制造工藝節點。 研究背景 與傳統平面器件相比,3D FinFET器件具... (來源:技術文章頻道)
GAA晶體管 GaA 2021-12-8 10:21
· 環繞式柵極 (GAA) 晶體管架構為滿足功耗和性能敏感型設計的苛刻需求提供了全新的機會和更高的自由度 · 基于雙方的深度研發合作和探索,新思科技與三星實現了以GAA為核心的功耗優化技術關鍵創新,能夠確保領先的PPA和... (來源:新聞頻道)
新思科技三星3納米GAA 2021-7-7 11:16