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新型1000 V產品，在3225封裝尺寸（3.2 x 2.5 x 2.5 mm – 長 x 寬 x 高）中實現了22 nF電容，具有低電阻軟端子型的C0G特性，適用于汽車及通用應用 有助于提升應用的可靠性、減少元件數量并實現小型化 符合AEC-Q200標準 產品的實際外觀與圖片不同。 TDK標志沒有印在... （來源：新品頻道）
TDK積層陶瓷電容器 2025-9-22 11:04
2025年7月2日，上海 ——納芯微今日宣布推出車規級四位自動雙向型電平轉換器NCAS0104和NCAB0104。新推出的電平轉換器具備高達15kV的ESD性能，支持更寬的端口輸入電壓（端口A：1.1~3.6V；端口B：1.65~5.5V），可廣泛適用于汽車信息娛樂系統、高級輔助駕駛系統、以及AI服務器等相關應用中，是系... （來源：新品頻道）
納芯微電平轉換器NCAS0104NCAB0104 2025-7-3 15:22
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的... （來源：技術文章頻道）
SiC 2025-6-13 10:28
STGAP4S具有高集成度、電隔離和診斷功能 2025年5月12日，中國——意法半導體的SiC MOSFET和IGBT電隔離車規柵極驅動器STGAP4S可以靈活地控制不同額定功率的逆變器，集成可設置的安全保護和豐富的診斷功能，確保電驅系統通過ISO 26262 ASIL D認證。STGAP4S驅動器集成模數轉換器 (ADC) 和反激... （來源：新品頻道）
意法半導體柵極驅動器STGAP4S 2025-5-12 15:41
本文作者：Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效... （來源：技術文章頻道）
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
在描述高速運行的數字系統時，噪聲容限是最重要的參數之一。通常情況下，噪聲容限定義了 I/O 引腳上或接口中可接受的噪聲水平。在數字電子技術領域，噪聲容限是指 I/O 引腳上出現但不會導致接收邏輯狀態出錯的噪聲水平。這個值在時域中經常調用，用于測量比特誤碼率。如果您正在設計高速 PCB 并需要執行... （來源：技術文章頻道）
噪聲容限 CMOS Cadence 2025-3-20 10:55
本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文... （來源：技術文章頻道）
SiC JFET并聯示波器 2025-3-5 14:06
全球能源行業正處在一場持續而深刻的變革之中——即從化石燃料能源，向可再生能源的轉變。這個過程盡管曲折，但是對于大趨勢大家早已有了共識，加之近年來智能電網、儲能系統等關鍵技術的發展，進一步掃清了可再生能源部署和應用的障礙，其未來的發展勢頭將更為迅猛。 根據國際能源署（IE... （來源：技術文章頻道）
太陽能光伏逆變器儲能系統 2025-2-3 09:10
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。 三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET，經過試制驗證，目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化，具有濾... （來源：技術文章頻道）
三菱電機NX封裝SiC功率模塊 2025-1-23 11:23
鐵路與其他客運工具相比，能源效率高，據說其每單位運輸量的CO₂排放量約為一般載客車輛的1/7。特別是在長距離運輸中，其差距更大，高速鐵路網對運輸基礎設施的節能有很大的推動作用。 一直以來，高速鐵路網在發達國家運輸基礎設施中承擔著重要的作用，而近年來在新興發展中國家也出現了鋪設高... （來源：技術文章頻道）
電子技術高鐵節能 2025-1-22 11:10
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