電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇,但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
作者:安森美 斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊,而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置(RCD) 或接地故障斷路器(GFCI) 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。 機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代,如今仍... (來源:技術文章頻道)
固態斷路器SiC JFET 2025-9-30 13:09
在工業領域快速發展的當下,安森美憑借其在功率器件、無線連接芯片及智能功率模塊等方面的技術優勢,積極應對行業需求與挑戰。近日,中電網采訪了安森美電源方案事業部業務拓展 Sean Gao 和模擬與混合信號事業部業務拓展高級經理 Henry Yang,圍繞公司核心技術、產品應用及市場布局等方面展開深入討論。... (來源:新聞頻道)
功率器件無線連接工業自動化 2025-7-17 16:23
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。 ... (來源:技術文章頻道)
SiC Combo JFET 2025-6-26 10:30
作者:安森美(onsemi) Prasad Paruchuri 工業設備正在向電動化轉型,亟需穩健、可靠、高效的電池充電方案。從電動工具到重型機械,其充電器必須能夠適應惡劣的環境和不同的電源(120-480 Vac),并在設計上優先考慮小型化、輕量化和自然對流散熱。本文旨在為工程師提供設計此類關鍵系統的指導... (來源:技術文章頻道)
電池充電器PFC 2025-6-20 11:00
安森美 (onsemi) cascode FET (碳化硅共源共柵場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢,本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET)相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢,特別是在給定芯片面積下的低導通電阻(稱為RDS.A)。為了實現最低的... (來源:技術文章頻道)
SiC 2025-6-13 10:28
本文作者:Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應晶體管)在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢,SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵(cascode)結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇,將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效... (來源:技術文章頻道)
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
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碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
本文作者:Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內容包括Cascode(共源共柵)關鍵參數和并聯振蕩的分析,以及設計指南。本文... (來源:技術文章頻道)
SiC JFET并聯示波器 2025-3-5 14:06
本文作者:Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET,內容包括Cascode(共源共柵)關鍵參數和并聯振蕩的分析,以及設計指南。... (來源:技術文章頻道)
SiC JFET 安森美Al并聯設計 2025-2-28 14:10