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在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術(shù)的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉(zhuǎn)變的催... （來源：新聞頻道）
閃存MRAMFPGA 2025-2-25 09:45
摘要隨著ADC和DAC的性能規(guī)格、形狀參數(shù)和新的傳感器技術(shù)(Rx和Tx)的不斷發(fā)展，RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)正在發(fā)生快速變化。在這期間，一個系統(tǒng)級的設(shè)計問題一直存在，即如何平衡模擬和數(shù)字電路的設(shè)計，以實現(xiàn)最大的軟件/系統(tǒng)靈活性（從傳感器到數(shù)字處理單元的輸入/輸出）。這個基本問題需要系統(tǒng)設(shè)計師劃分（或組合... （來源：技術(shù)文章頻道）
傳感器技術(shù)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換SiP 2021-2-23 16:00
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美S... （來源：新聞頻道）
GF 12nm工藝MRAM芯片 2020-3-16 14:12
當前計算架構(gòu)的演變、制造工藝的進步已經(jīng)很難推動芯片計算速度的發(fā)展，各種新型應用帶來的數(shù)據(jù)爆炸導致數(shù)據(jù)訪問性能和計算性能的失衡不斷增長，從而推動了許多新型隨機存取存儲器（RAM）技術(shù)的發(fā)展。比較典型的新型RAM技術(shù)包括磁阻RAM（MRAM）、電阻式RAM（ReRAM）和相變RAM（PCRAM）。這些新型器件一直... （來源：新聞頻道）
內(nèi)存技術(shù)NAND閃存人工智能 存儲器（RAM）技術(shù) 2019-8-19 10:01
群聯(lián)電子宣布與Everspin策略聯(lián)盟，整合Everspin的1Gb STT-MRAM，至群聯(lián)的企業(yè)級SSD儲存解決方案。群聯(lián)指出，MRAM是一種非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，不僅斷電時數(shù)據(jù)不會遺失，且有低功耗及讀寫速度高于NAND等特性。 整合MRAM至群聯(lián)的企業(yè)級SSD儲存方案，能優(yōu)化無預警斷電的數(shù)據(jù)防護機制，提升SSD的效能。Everspin... （來源：新聞頻道）
SSD控制芯片非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù) 2019-7-30 09:22
對神經(jīng)形態(tài)計算的濃厚興趣刺激人們研發(fā)出一系列全新的存儲設(shè)備，這些設(shè)備可以復制生物神經(jīng)元和突觸功能。最近，一篇回顧該領(lǐng)域現(xiàn)狀的論文對六種最有前景的技術(shù)進行了盤點和解讀。這篇題為“用于神經(jīng)形態(tài)計算的新興存儲器件”的論文發(fā)表在1月份的《先進材料技術(shù)》（Advanced Materials Technologies）上... （來源：新聞頻道）
存儲器 神經(jīng)形態(tài)計算 2019-2-8 09:13
MARM磁性隨機存儲器 2019-2-6 09:51
磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）產(chǎn)品的領(lǐng)導廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。現(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)。 MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RA... （來源：新品頻道）
EverspinMRAMMR4A16B 2010-5-19 09:23
Everspin推出標準封裝的串行MRAM MR25H，MR25H非易失性串行MRAM存儲器系列包括256KB，512KB和1MB器件。該器件沒有寫入延遲，時鐘速度高達40MHz，本質(zhì)上具有無限耐用性以及超過20年的數(shù)據(jù)保存。 該IC采用標準SPI接口，工作電壓為2.7~3.6V，典型睡眠電流為3uA。器件采用低高度8引腳DFN標準封裝，工作溫度... （來源：新品頻道）
EverspinMRAMMR25H 2010-3-12 10:42
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SSD控制芯片非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù) 2019-7-30 09:22
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