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TI近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現業內最低，比傳統60-V負載開關低90%，同時，使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。如需了解更多信息與樣品，敬請訪問www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。 CSD18... （來源：新品頻道）
TI60－V N通道功率FemtoFET功率晶體管60－V負載開關CSD18541F5 2016-7-15 14:53
TI宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導通電阻。 三個 N 通道及三個 P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列 (LGA) 封裝，與芯片級封裝 (CSP) 相比，其可將板積空間銳... （來源：新品頻道）
TIFemtoFET MOSFET導通電阻 2013-11-11 16:04
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