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↓在全部中搜索到 7 條關于“GaNHEMT”的信息，用時:0.025 sec.

功率轉換器中CoolSiC MOSFET技術解析

功率轉換器中越來越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設計快速開關的單極器件。因此，現在僅在低壓環境（<600 V）下才可能使用的解決方案現在也可以在更高的電壓下使用。結果是最高的效率，更高的開關頻率，更...
碳化硅（SiC）晶體管功率轉換器CoolSiC MOSFET技術 2021-09-18

[原創]On Semi NCP51820＋NCP13992 300WGaN適配器解決方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅動器,設計以滿足驅動離線模式,半橋功率拓撲的增強模式晶體管,高電子遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),氮化鎵(GaN)功率開關的嚴格要求.NCP51820具有短和匹配的傳輸時延和先進的電平轉移技術,提供-3.5V到+650V共模電壓范圍,以用于高邊驅動和-3.5V到+3.5V共模電...
電源管理GaNAC／DC轉換器On SemiNCP51820NCP13992 2021-08-24

[原創]On Semi NCP51820氮化鎵GaN功率開關高速半橋驅動方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅動器,設計滿足驅動增強模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓撲的氮化鎵GaN功率開關嚴格要求. NCP51820提供先進的電平轉移技術,具有短匹配傳播延遲,高邊驅動時共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅動時共模電壓范圍...
電源管理GaN功率開關柵極驅動器On SemiNCP51820 2021-07-13

英飛凌推出可量產的氮化鎵解決方案

隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導體材料開始備受關注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。目前很多國家（也包括中國）都把發展第三代半導體材料及其相關器...
大功率器件氮化鎵解決方案開關模式電源（SMPS） 2018-12-04

--BBS主題帖: 認識射頻功率放大器RFPA

[font=宋體, arial][b]射頻功率放大器RFPA的功能[/b][/font] [font=宋體, arial]　　射頻功率放大器RFPA是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后...
2015-05-22

--BBS主題帖: 認識射頻功率放大器RFPA

[font=宋體, arial][b]射頻功率放大器RFPA的功能[/b][/font] [font=宋體, arial]　　射頻功率放大器RFPA是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后...
2015-03-11

--BBS主題帖: 認識射頻功率放大器RFPA

[font=宋體, arial][b]射頻功率放大器RFPA的功能[/b][/font] [font=宋體, arial]　　射頻功率放大器RFPA是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大一緩沖級、中間放大級、末級功率放大級，獲得足夠的射頻功率以后...
2014-06-27

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