以優(yōu)異的高輸出與低失真特性，助力衛(wèi)星通信地面站的小型化 三菱電機株式會社將于11月1日發(fā)售Ka波段※1衛(wèi)星通信地面站功率放大器的高功率高頻率晶體管新產(chǎn)品，即實現(xiàn)了高達8W的輸出功率和兼具功率放大信號低失真特性的“衛(wèi)星通信地面站Ka波段GaN※2HEMT※3MMIC※4”。該產(chǎn)品具有更高輸出和更低失真特性... （來源：新品頻道）
三菱電機 衛(wèi)星通信地面站Ka波段 GaN HEMT MMIC 2017-10-31 16:07
科銳公司（納斯達克：CREE）日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出其 2.7~3.5 GHz（S 波段）最新封裝 GaN HEMT 功率晶體管與高功率放大器 (HPA) 單片式微波集成電路（MMIC）。這些產(chǎn)品提供業(yè)界最佳的功率與效率組合，可實現(xiàn) 60% 的典型功率附加效率 (PAE)。與現(xiàn)有解決方案相比，可降... （來源：新品頻道）
科銳GaN HEMT功率晶體管放大器單片式微波集成電路 2011-6-23 14:11
科銳公司（納斯達克：CREE）日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。與現(xiàn)有商用 GaAs MESFET 晶體管或基于行波管的放大器相比，該產(chǎn)品可大幅提高性能。 科銳無線射頻（RF） 總監(jiān) Jim Milligan 指出：“這是首款可為... （來源：新品頻道）
科銳IEEEGaN HEMT集成電路高功率放大器 2011-6-22 14:09
Cree推出25W GaN HEMT MMIC功率放大器CMPA0060025F，CMPA0060025F GaN HEMT MMIC功率放大器在20 MHz~6 GHz的瞬時帶寬提供高達25W的輸出功率，使其適合用于軍事和ISM領域。該MMIC器件占位面積為0.25平方英寸，工作電源高達50V，功率增益為12dB。欲獲得產(chǎn)品的信息和價格，聯(lián)系CREE INC., Durham, NC. (91... （來源：新品頻道）
Cree功率放大器CMPA0060025F 2010-2-24 13:11
CMPA0060025F GaN HEMT MMIC功率放大器在20 MHz~6 GHz實時帶寬提供25 W的輸出功率，適合應用于軍事和ISM（工業(yè)、科學和醫(yī)療）中。 該器件封裝的占位面積為0.25平方吋，工作電壓高達50V，典型功率增益為12dB（聯(lián)系公司獲得產(chǎn)品的價格和供貨情況） 公司網(wǎng)址： http://www.cree.com （來源：新品頻道）
CreeGaN MMIC PA 2010-2-9 14:46
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