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全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,憑借其在高功率應(yīng)用領(lǐng)域氮化鎵(GaN)加工技術(shù)方面的專業(yè)優(yōu)勢,X-FAB基于其XG035技術(shù)平臺推出針對dMode器件的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)代工服務(wù)。此舉進一步發(fā)揮和強化了X-FAB作為專業(yè)純晶圓代工企業(yè)... (來源:新聞頻道)
X FABGaN on Si代工服務(wù) 2025-9-5 14:31
同時加快車載GaN器件的開發(fā)速度,以盡快投入量產(chǎn) 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性,因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大... (來源:新品頻道)
ROHMATXGaN HEMT 2025-2-14 13:05
作者: 付斌眾所周知,英特爾的數(shù)字芯片引領(lǐng)著行業(yè)發(fā)展,但其實,這家巨頭背后也非常重視處理器的供電能力。要知道,處理器能否發(fā)揮真正的性能,不止在于器件本身,而在于整個系統(tǒng)。英特爾很早以前,就看好氮化鎵(GaN)在功率器件中的應(yīng)用。一方面,是投資相關(guān)的企業(yè),比如英特爾曾在2014年9月領(lǐng)投 GaN... (來源:新聞頻道)
英特爾GaN新技術(shù) 2023-12-18 10:06
GTH2e-2425300P可在標(biāo)準(zhǔn)氣腔中為ISM應(yīng)用提供一流的寬帶效率(>72%)和射頻性能,并且所需的調(diào)諧最少知名的GaN RF半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Gallium Semiconductor今天宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器,這是一款2.4-2.5 GHz、300W的預(yù)匹配離散型GaN on SiC高電子遷移率晶體管(High Electron Mobilit... (來源:新品頻道)
Gallium Semiconductor ISM CW放大器 GTH2e-2425300P 2023-9-20 10:12
作者: Jeff Shepard硅 (Si) 仍然是功率半導(dǎo)體的主流材料。但在 2023 年,碳化硅 (SiC) 相關(guān)的技術(shù)發(fā)展可能會吸引更多設(shè)計人員嘗試這種新材料。您愿意加入其中嗎?Wolfspeed 和 STMicroelectronics 等 SiC 供應(yīng)商篤定您不會錯過這樣的機會。這些供應(yīng)商已經(jīng)宣布轉(zhuǎn)向 200 mm 晶圓,這是目前 150 mm 晶圓面... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅 2023-2-21 10:51
摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道,寬禁帶半導(dǎo)體成為后摩爾時代半導(dǎo)體發(fā)展的“蹊徑”之一,而在這一領(lǐng)域,國內(nèi)企業(yè)有望實現(xiàn)彎道超車。寬禁帶半導(dǎo)體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表,也稱“第三代半導(dǎo)體”。采用SiC、GaN材料制備的半導(dǎo)體器件不... (來源:技術(shù)文章頻道)
寬禁帶半導(dǎo)體 SiC 2022-10-20 10:12
MaxLinear Inc. (NASDAQ: MXL) 和 Qorvo (NASDAQ: QRVO) 今天宣布推出一項聯(lián)合解決方案,旨在應(yīng)對 32x32 和 64x64 大規(guī)模 MIMO 無線電在尺寸、重量和功耗方面的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。該解決方案支持高效功率放大器 (PA),減小了無線電的功率、重量和體積,使大規(guī)模 MIMO 無線電更加實用。此外,此解決方案在功耗和... (來源:新聞頻道)
MaxLinear QorvoMIMO 無線電 2022-6-30 13:23
在本章,我們將介紹設(shè)計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 以及其他 GaN 應(yīng)用的一些技術(shù),并描述 GaN 在許多射頻 (RF) 前端中的應(yīng)用。我們還將探討技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者如何在分立式、單芯片微波集成電路 (MMIC) 以及高度集成模塊中使用 GaN 技術(shù),以滿足許多應(yīng)用領(lǐng)域需求。我們還將說明 GaN 熱建模在應(yīng)用中的一些重要... (來源:技術(shù)文章頻道)
GaN 技術(shù) 射頻前端 GaN PA 2022-5-7 10:07
近日,第31屆中國南京金秋經(jīng)貿(mào)洽談會上,投資30億元的百識第三代半導(dǎo)體6英寸晶圓制造項目成功簽約南京浦口。 該項目由南京百識電子科技有限公司建設(shè),總投資30億元,擬用地80畝,建立第三代半導(dǎo)體外延片+器件專業(yè)代工,可以承接國內(nèi)外IDM與design house的委托制作訂單,串接國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈,達(dá)到... (來源:新聞頻道)
百識6英寸晶圓 2020-9-21 17:07
5G基站對功率放大器芯片和其他射頻設(shè)備的需求不斷增加,使不同公司和技術(shù)之間開始激烈PK。 功率放大器是提高基站射頻功率信號的關(guān)鍵部件,它基于兩種有競爭力的技術(shù),硅基LDMOS或射頻GaN(GaN)。GaN是一種III-V技術(shù),其性能優(yōu)于LDMOS,是5G高頻需求的理想選擇,但GaN價格昂貴,并在制造過程中存在一... (來源:新聞頻道)
5GPA 2020-8-25 15:19
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