新款AOZ17517QI系列60A電子保險絲具有業界領先的性能和 0.65mΩ低導通電阻,專為服務器電源優化設計。 日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出了一款全新AOZ17517QI系列60A電子... (來源:新品頻道)
AOS eFuse電源保護AOZ17517QI保險絲 2025-8-13 14:09
邦納推出QM30VT3系列振動溫度傳感器新產品!QM30VT3 高性能3軸振動傳感器通過精確、實時的診斷,有助于提前發現故障、減少停機時間并簡化預測性維護。內置的 VIBE-IQ 機器學習功能可自動建立基線水平和警報閾值,無需復雜的配置即可提供實時故障檢測,同時無需外部網關或控制器處理。通過在傳感器本身處... (來源:新品頻道)
邦納QM30VT3溫度傳感器 2025-6-25 10:34
這款節省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W,并配有易于吸附焊錫的側翼,從而改善工業應用的熱性能和可焊性 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款采用無引線鍵合(BWL)封裝并具有業內先進導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N... (來源:新品頻道)
Vishay MOSFET導通電阻 2025-5-30 11:04
作者:偉創力健康解決方案事業部總裁 Kate Benedict當前,醫療健康行業正面臨著前所未有的挑戰,整個行業都正承受著不斷上漲的成本壓力。就行業內部而言,推出一款新型醫療器械產品往往需要耗時三到七年之久,有時甚至更為漫長;一款新藥從研發開始到最終獲批,平均需要歷經12年的時間。因此,在保證可... (來源:新聞頻道)
醫療健康行業制造外包 2024-12-17 09:56
器件占位面積小,采用BWL設計,ID高達795 A,可提高功率密度,而且低至0.21 °C/W的RthJC可優化熱性能日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優... (來源:新品頻道)
Vishay 40 V MOSFET SiJK140E 2024-12-5 10:28
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封裝,RthJC低至0.45 °C/W,ID高達144 A,從而提高功率密度日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)封裝的全新150 V TrenchFET® Gen V N溝道功率MOSF... (來源:新品頻道)
Vishay 150 V MOSFET SiRS5700DP 2024-11-21 11:00
1. 類型和結構TIP41C(NPN 型):在電路中,NPN 型晶體管的基極(B)控制從集電極(C)到發射極(E)的電流流動。通常,當基極有足夠的電流時,集電極到發射極的通路是導通的。TIP42C(PNP 型):PNP 型晶體管的工作方式與 NPN 相反。基極與發射極之間的電流控制從發射極到集電極的電流流動。PNP 晶體管... (來源:技術文章頻道)
晶體管TIP41CTIP42C 2024-11-8 10:57
第八屆中國(佛山)國際氫能與燃料電池技術及產品展覽會(CHFE2024)大會于10月18-20日在佛山南海樵山文化中心舉辦。作為中國最具規模的氫能行業盛會,CHFE至今已經連續舉辦七屆,每年來自全球各地專家學者、行業客戶、專業觀眾齊聚會場。本屆會議主題為“氫能·全球綠色轉型的未來”。... (來源:新聞頻道)
豐電金凱威氫氣壓縮機氫能基礎設施 2024-10-21 10:11
10月18日,2024年中國氫能產業大會和第八屆中國(佛山)國際氫能與燃料電池技術及產品展覽會(CHFE2024)在佛山隆重開幕。南海區委副書記、區長王勇一行蒞臨攀業氫能展位(右二)本次展會,攀業氫能首次攜手廣東南鋁云核鋁行家科技有限公司聯合參展,現場以試騎體驗和新一代氫能兩輪助力車和氫能兩輪電... (來源:新聞頻道)
氫能兩輪車氫燃料電池氫能應用 2024-10-21 10:07
有直流參數,包括開啟電壓、夾斷電壓、飽和漏極電流、輸入電阻;交流參數,即低頻跨導;極限參數,包括反向擊穿電壓和漏極功耗。1.開啟電壓UrUr是增強型MOS管的主要參數,當柵源電壓UGs小于開啟電壓的時,場效應管不能導通。如3C03型P溝道增強型MOS管的開啟電壓為—2~—4V,3D06A型N溝道增強型MOS管的... (來源:技術文章頻道)
絕緣柵型場效應管 2024-8-6 10:35