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熱管理：突破功率密度障礙的 3 種方法

幾乎每個應用中的半導體數量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設計挑戰都歸結于需要更高的功率密度。例如下面這幾類應用： • 超大規模數據中心：機架式服務器工作使用的功率讓人難以置信，這讓公用事業公司和電力工程師難以跟上不斷增長的電力需求。• 電動汽車：從內燃機到 80...
功率密度障礙熱管理同步降壓轉換器 2022-10-17

塑造電源管理未來的 5 大趨勢

從智能手機和電動汽車 (EV) 到電動汽車充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們日常使用的電子產品的關鍵因素。前些年，高效電源管理往往需要讓位于其他設計因素。但是，這種狀況現在發生了改變。在過去 5 到 10 年中，延長電池壽命、減小應用尺寸、提高系統安全性，以及滿足消費者對于更可靠、成本更...
功率密度電源管理 2022-05-18

大數據中心的痛點，竟能如此解決？——TI芯科技賦能中國新基建之大數據中心

似乎是在印證國家新基建政策的正確性。2020年新冠疫情暴發以來，遠程辦公、在線教育、生鮮電商、無人配送等大量新商業模式得到了飛速發展，而這些業務模式背后顯然帶來了更大量的數據產生和流動——大數據中心作為新基建七大領域之一的重要性進一步提升。然而，目前全球40%的數據中心集中在美國，這...
大數據中心數據傳輸 2022-04-13

大數據中心的痛點，竟能如此解決？TI芯科技賦能中國新基建

大數據中心的痛點，竟能如此解決？——TI芯科技賦能中國新基建之大數據中心似乎是在印證國家新基建政策的正確性。2020年新冠疫情爆發以來，遠程辦公、在線教育、生鮮電商、無人配送等大量新商業模式得到了飛速發展，而這些業務模式背后顯然帶來了更大量的數據產生和流動——大數據中心作為新基建七大領...
大數據TI新基建 2021-09-29

具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可...
GaN FET絕緣柵極雙極晶體管工業電源設計 2021-01-08

[原創]TI LMG3425R050600V 50mΩGaN FET解決方案

TI公司的LMG3422R030是600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驅動器開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供...
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3425R050600V 2020-12-30

具有保護功能的GaN器件，加速下一代工業電源設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味...
GaN5G 2020-12-18

具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計

氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。使用GaN則可以更快地處理電源電子器件并更有效地為越來越多的高壓應用提供功率。GaN更優的開關能力意味著它可...
GaN FETGaN器件 2020-12-16

[原創]TI LMG3422R030 600V 30mΩGaN FET應用評估方案

TI公司的LMG3422R030是600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅動器是開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供...
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3422R030 2020-12-10

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