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MPS芯源系統（NASDAQ代碼：MPWR）近日發布的新產品MPQ6539-AEC1，是一款專為三相無刷直流（BLDC）電機驅動器而設計的柵極驅動器IC，其輸入電壓高達80V，可驅動由六個N溝道功率MOSFET組成的三個半橋的車規級柵極驅動器。MPQ6539-AEC1適用于汽車泵、電動升降尾門、電動天窗、電動座椅調節等汽車車身電機控... （來源：新品頻道）
MPS柵極驅動器IC 2025-8-12 10:13
信天翁半導體推出ALB118系列芯片，最大反向電壓120V、20nA低反向漏電流、占空比99%的理想二極管，該系列產品應用時需與外部N溝道功率MOSFET、電容儲存器共同使用，或者三合一的合封產品，正向實現MOS脈沖方式導通，反向關斷MOS實現反極性截止功能，可應用于組件級光伏電源系統中作為防反或旁路保護器件... （來源：新品頻道）
信天翁半導體理想二極管ALB118 2025-7-29 09:24
這款節省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側翼，從而改善工業應用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業內先進導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N... （來源：新品頻道）
Vishay MOSFET導通電阻 2025-5-30 11:04
小小MOSFET，大有乾坤。在電力電子系統中，MOSFET作為核心元件扮演著至關重要的角色，支撐從數據中心到通訊基站等各種開關電源應用。雖然其應用廣泛且深受歡迎，但技術挑戰依舊嚴峻。伴隨器件尺寸的縮減，物理限制逐漸顯現，MOSFET面臨著性能瓶頸；加之苛刻環境對可靠性的迫切要求，構成了需要共同攻克... （來源：新品頻道）
東芝MOSFETTPH9R00CQ5 2025-2-19 10:10
器件占位面積小，采用BWL設計，ID高達795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 °C/W的RthJC可優化熱性能日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封裝的新型40 V TrenchFET® 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優... （來源：新品頻道）
Vishay 40 V MOSFET SiJK140E 2024-12-5 10:28
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封裝，RthJC低至0.45 °C/W，ID高達144 A，從而提高功率密度日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET® Gen V N溝道功率MOSF... （來源：新品頻道）
Vishay 150 V MOSFET SiRS5700DP 2024-11-21 11:00
希荻微電子集團股份有限公司(股票代碼:688173，以下簡稱“希荻微)是國內領先的模擬及電源管理的集成電路設計商，專注于推動高效節能及智能系統的應用。近日，希荻微推出的新產品HL9611，是一款高端的100V三相半橋柵極驅動器，旨在驅動半橋高邊和低邊N溝道功率MOSFET。 HL9611利用集成自舉電路和外部... （來源：新品頻道）
希荻微 HL9611 100V三相半橋柵極驅動器 2024-11-1 13:10
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了業界首款-48 V寬輸入電壓數字熱插拔控制器XDP700-002，擴展了其XDP™數字功率保護控制器系列。這款控制器具有專為電信基礎設施設計的可編程安全工作區域（SOA）控制功能，以及不超過±0.7%的超低電流報告誤差，能提高系統故障檢測和報... （來源：新品頻道）
英飛凌寬輸入電壓熱插拔控制器XDP700－002 2024-4-11 08:45
節省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %，有助于減少元器件數量并簡化設計日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 ... （來源：新品頻道）
Vishay 80 V對稱雙通道 MOSFET SiZF4800LDT 2024-3-14 14:33
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結結構的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數據中心和光伏功率調節器等應用的開關電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日... （來源：新品頻道）
東芝 MOSFET TK042N65Z5 TK095N65Z5 2024-2-26 10:03
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