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應(yīng)用開發(fā)

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2024慕尼黑上海電子展亮點：三款重點展品及解決方案的深度探索

作者: 意法半導(dǎo)體在2024年慕尼黑上海電子展上，意法半導(dǎo)體為我們帶來了哪些尖端科技和創(chuàng)新產(chǎn)品呢？為了讓未能親臨現(xiàn)場的您也能領(lǐng)略到這場科技盛宴，我們特別挑選了三款亮點展品及解決方案，為您提供詳細的介紹。希望這些分享能夠激發(fā)您的創(chuàng)新靈感，讓您在工作與生活中都能發(fā)揮出更大的創(chuàng)造力。打造一輛...
慕尼黑上海電子展意法半導(dǎo)體 2024-07-15

意法半導(dǎo)體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能

氮化鎵(GaN)產(chǎn)品讓消費電子、工業(yè)和汽車系統(tǒng)更高效、更緊湊意法半導(dǎo)體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER™ GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應(yīng)用的性能。該系列...
意法半導(dǎo)體PowerGaN器件GaN 2023-08-03

如何贏得一半以上的碳化硅MOSFET市場份額，并將其持續(xù)擴大？

✦ 本文轉(zhuǎn)載自：21ic✦ 作者：劉巖軒ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域進行了襯底技術(shù)收購、產(chǎn)能投資，擁有了全生產(chǎn)鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領(lǐng)域獲得成功的原因，如何排名市場前列的未來戰(zhàn)略規(guī)劃，以及對于整個寬禁帶器件行業(yè)的前景解讀...
碳化硅MOSFET寬禁帶器件SiCGaN 2022-04-20

透過意法半導(dǎo)體，淺析寬禁帶布局的關(guān)鍵

2020年底，意法半導(dǎo)體（ST）宣布到2027年實現(xiàn)碳中和目標和100%采用可再生能源，是目前已知消息中，有望最早實現(xiàn)這個目標的半導(dǎo)體公司。ST此前曾表示，此舉是踐行公司的可持續(xù)發(fā)展之路的重要舉措。而除了開源可再生能源之外，通過節(jié)能，可進一步實現(xiàn)減排目標。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG) 執(zhí)行副總裁，...
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅氮化鎵SiCGaNst 2022-03-02

意法半導(dǎo)體推出全新G-HEMT系列GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體（ST）昨日宣布G-HEMT系列首款GaN 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品（PowerGaN），能大幅降低各種電子產(chǎn)品的能量消耗并縮小尺寸；可用于充電器、PC 外接電源適配器、LED 照明驅(qū)動器、電視機等。不僅如此，該產(chǎn)品亦能用于高功率市場，像是工業(yè)驅(qū)動馬達、太陽能逆變器、電動汽車及充電器等。 ST 表示，全...
意法半導(dǎo)體G－HEMTGaN功率半導(dǎo)體 2022-01-12

意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN系列首發(fā)，讓電源能效更高、體積更纖薄

· 基于氮化鎵 (GaN) 的產(chǎn)品可以取得更高的能效，幫助工程師設(shè)計出更緊湊的電源，適合各種消費、工業(yè)和汽車應(yīng)用 · 意法半導(dǎo)體 PowerGaN系列第一款產(chǎn)品現(xiàn)已投產(chǎn)；很快還將推出其他的不同封裝和規(guī)格的產(chǎn)品服務(wù)...
意法半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體PowerGaN電源 2021-12-17

意法半導(dǎo)體超前布局戰(zhàn)略性市場創(chuàng)“碳中和”商機

進入低碳互聯(lián)時代，隨著可再生能源技術(shù)和電子工業(yè)的進步，電力能源、智慧交通、數(shù)字化工廠等對系統(tǒng)高能效要求越來越重要，加之政策持續(xù)推動——實現(xiàn)“碳達峰”和“碳中和”（以下簡稱“雙碳”）的目標已是國際共識，在亞太地區(qū)尤其是我們國內(nèi)對環(huán)境法規(guī)和能源管理標準日益嚴格，并已宣布碳排放力爭于20...
GaN意法半導(dǎo)體碳中和 2021-12-08

PI推出市場上唯一一款USB PD單芯片方案InnoSwitch3-PD 系列反激式開關(guān)IC

隨著智能產(chǎn)品應(yīng)用場景越來越多，小體積高功率密度的快充電源也備受大家青睞，USB PD是目前主流的快充協(xié)議之一，可實現(xiàn)更高的電壓和電流。自PD充電協(xié)議普及以來，大量PD充電器迅速上市。那工程師如何為電源選擇合適的IC呢？深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(PI)近日宣...
PIUSB PD單芯片反激式開關(guān)IC 2021-09-23

ST 和Exagan開啟GaN發(fā)展新篇章

氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性質(zhì)讓器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，這就是說，與同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以處理更大的負載，能效更高，物料清單成...
STExaganGaNCMOS晶圓半導(dǎo)體材料 2021-09-07

Leti介紹了GaN電力電子技術(shù)開發(fā)進展

法國微/納米技術(shù)研發(fā)中心CEA-Leti，在第66屆IEEE國際電子器件會議（IEDM 2020）上發(fā)表的兩篇補充研究論文證實，其氮化鎵（GaN）技術(shù)的方法有望克服種種挑戰(zhàn)。嵌入MOS柵極的先進GaN器件具有更優(yōu)化的架構(gòu)和性能，并針對快速增長的全球功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)市場需求。研究人員描述了基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的...
GaN 2020-12-23

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