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作者: 意法半導體在2024年慕尼黑上海電子展上，意法半導體為我們帶來了哪些尖端科技和創新產品呢？為了讓未能親臨現場的您也能領略到這場科技盛宴，我們特別挑選了三款亮點展品及解決方案，為您提供詳細的介紹。希望這些分享能夠激發您的創新靈感，讓您在工作與生活中都能發揮出更大的創造力。打造一輛... （來源：新聞頻道）
慕尼黑上海電子展 意法半導體 2024-7-15 15:09
氮化鎵(GaN)產品讓消費電子、工業和汽車系統更高效、更緊湊意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER™ GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源發電、汽車電氣化等應用的性能。 該系列... （來源：新品頻道）
意法半導體PowerGaN器件GaN 2023-8-3 15:36
✦ 本文轉載自：21ic✦ 作者：劉巖軒ST獲得了全球50%以上的SiC MOSFET市場份額；并且在寬禁帶半導體領域進行了襯底技術收購、產能投資，擁有了全生產鏈條的掌控力。本文分享了ST在SiC領域獲得成功的原因，如何排名市場前列的未來戰略規劃，以及對于整個寬禁帶器件行業的前景解讀... （來源：技術文章頻道）
碳化硅MOSFET寬禁帶器件SiCGaN 2022-4-20 10:24
2020年底，意法半導體（ST）宣布到2027年實現碳中和目標和100%采用可再生能源，是目前已知消息中，有望最早實現這個目標的半導體公司。ST此前曾表示，此舉是踐行公司的可持續發展之路的重要舉措。而除了開源可再生能源之外，通過節能，可進一步實現減排目標。ST汽車和分立器件產品部(ADG) 執行副總裁，... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體 碳化硅 氮化鎵 SiC GaNST 2022-3-2 14:08
意法半導體（ST）昨日宣布G-HEMT系列首款GaN 功率半導體產品（PowerGaN），能大幅降低各種電子產品的能量消耗并縮小尺寸；可用于充電器、PC 外接電源適配器、LED 照明驅動器、電視機等。不僅如此，該產品亦能用于高功率市場，像是工業驅動馬達、太陽能逆變器、電動汽車及充電器等。 ST 表示，全... （來源：新聞頻道）
意法半導體G－HEMTGaN功率半導體 2022-1-12 09:26
· 基于氮化鎵 (GaN) 的產品可以取得更高的能效，幫助工程師設計出更緊湊的電源，適合各種消費、工業和汽車應用 · 意法半導體 PowerGaN系列第一款產品現已投產；很快還將推出其他的不同封裝和規格的產品 服務... （來源：新品頻道）
意法半導體氮化鎵功率半導體PowerGaN電源 2021-12-17 16:14
進入低碳互聯時代，隨著可再生能源技術和電子工業的進步，電力能源、智慧交通、數字化工廠等對系統高能效要求越來越重要，加之政策持續推動——實現“碳達峰”和“碳中和”（以下簡稱“雙碳”）的目標已是國際共識，在亞太地區尤其是我們國內對環境法規和能源管理標準日益嚴格，并已宣布碳排放力爭于20... （來源：新聞頻道）
意法半導體碳中和GAN 2021-12-8 11:06
隨著智能產品應用場景越來越多，小體積高功率密度的快充電源也備受大家青睞，USB PD是目前主流的快充協議之一，可實現更高的電壓和電流。自PD充電協議普及以來，大量PD充電器迅速上市。那工程師如何為電源選擇合適的IC呢？深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(PI)近日宣... （來源：新聞頻道）
PIUSB PD單芯片反激式開關IC 2021-9-23 14:04
氮化鎵(GaN)是一種III-V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4 eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率分別為1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性質讓器件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，這就是說，與同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以處理更大的負載，能效更高，物料清單成... （來源：新聞頻道）
ST ExaganGaNCMOS 晶圓 半導體材料 2021-9-7 16:37
法國微/納米技術研發中心CEA-Leti，在第66屆IEEE國際電子器件會議（IEDM 2020）上發表的兩篇補充研究論文證實，其氮化鎵（GaN）技術的方法有望克服種種挑戰。嵌入MOS柵極的先進GaN器件具有更優化的架構和性能，并針對快速增長的全球功率轉換系統市場需求。研究人員描述了基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）的... （來源：技術文章頻道）
GaN 2020-12-23 10:45
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