高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優缺點。在常壓下，不存在Si:C化學計量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長，而是采用... （來源：技術文章頻道）
SiC單晶 三菱電機 SiC功率半導體器件 2024-9-20 11:05
作者: 羅寧勝 博士，Cissoid 中國總經理Yole Development 的市場調查報告表明，自硅功率半導體器件誕生以來，應用的需求一直推動著結溫升高，目前已達到150℃。隨著第三代寬禁帶半導體器件（如SiC）出現以及日趨成熟和全面商業化普及，其獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從目前的150℃邁向175℃，... （來源：技術文章頻道）
SiC 功率半導體器件電力系統設計 2022-2-7 10:38
作者：羅寧勝 博士，Cissoid 中國總經理 Yole Development 的市場調查報告表明，自硅功率半導體器件誕生以來，應用的需求一直推動著結溫升高，目前已達到150℃。隨著第三代寬禁帶半導體器件（如SiC）出現以及日趨成熟和全面商業化普及，其獨特的耐高溫性能正在加速推動結溫從目前的150℃邁向175℃，未... （來源：技術文章頻道）
SiC功率半導體器件電力系統 2020-11-16 16:04
在美國加利福尼亞州舊金山舉行的IEEE第64屆國際電子設備會議（IEDM 2018）（12月1日至5日）上，三菱電機公司和東京大學提出了提高SiC功率半導體可靠性的新機制。這個新機制是通過確認柵極氧化物和SiC之間的界面下的硫捕獲器件電流路徑中的一些電子傳導，增加閾值電壓而不改變器件的導通電阻而實現的。該... （來源：新聞頻道）
三菱電機SiC功率半導體 2018-12-7 09:29
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