前往首頁 聯(lián)系我們 網(wǎng)站地圖
7月18日晚間,芯聯(lián)集成發(fā)布公告稱,公司已于當日收到了中國證券監(jiān)督管理委員會出具的《關(guān)于同意芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司發(fā)行股份購買資產(chǎn)注冊的批復》(證監(jiān)許可〔2025〕1502 號)。即證監(jiān)會正式批準了芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州集成電路制造(紹興)有限公司(下稱“芯聯(lián)越州”)72.33%的股... (來源:新聞頻道)
芯聯(lián)集成 2025-7-21 09:12
在高電壓和高效率應(yīng)用領(lǐng)域,SemiQ作為一家領(lǐng)先的設(shè)計和開發(fā)企業(yè),近日宣布推出新一系列的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設(shè)計,以滿足各行業(yè)對高功率密度和能效解決方案日益增長的需求。 新推出的SiC MOSFET模塊采用強大的平面技... (來源:新品頻道)
SemiQSiCMOSFET模塊電源系統(tǒng) 2025-4-21 09:15
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-qformat:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
摘要本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器,特別是電動汽車驅(qū)動電機功率變換器,需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤,就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此,本文通過模擬雪崩事件,進行非鉗位感性負載... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù) 功率變換器 魯棒性評估 2024-10-12 10:25
作者:鄭姿清,李想引言對于半導體功率器件來說,門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過門極負壓對器件開關(guān)特性的影響,而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗,開關(guān)損耗和短路性能來分別討論。對導通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT,都是受門極控制的器件。在相... (來源:技術(shù)文章頻道)
開關(guān)損耗 門極驅(qū)動 IGBT SiC MOSFET 2024-1-26 11:10
合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求,而無需對處理和布局進行重大改變。然而,關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。 圖 1:必須與 SiC MOSFET 的性能指標(左)進行平衡... (來源:技術(shù)文章頻道)
雙運放電流源SiC MOSFET 2023-12-28 10:45
在功率電子領(lǐng)域,要論如今炙手可熱的器件,SiC要說是第二,就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限,由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能,已經(jīng)是大勢所趨。與傳統(tǒng)的Si材料相比,SiC具有更寬的禁帶,以及更高的擊穿電場、熱導率和工作溫度,這決定了基于SiC的功率器... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC 功率半導體 2023-8-30 16:05
合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計自由度,以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求,而無需對處理和布局進行重大改變。然而,關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻,與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù),還可以添加更多參數(shù)。 圖 1:必須與 SiC MOSFET 的性能指標(左)進... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC MOSFET 技術(shù) MOSFET 器件 2023-8-9 10:42
本文作者:Jonathan Harper 和 Jason Yu節(jié)能標準和客戶需求正在推動更高效率和更小尺寸的電源解決方案,對標準ACDC電源進行功率因數(shù)校正 (PFC) 的要求日益普遍,通過減少諧波含量引起的電力線損耗,從而降低對交流電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施的壓力。而設(shè)計緊湊高效的 PFC 電源是一個復雜的開發(fā)挑戰(zhàn)。本文將討論3kW P... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC MOSFET 次級端穩(wěn)壓LLC電源 2023-4-27 11:41
作者:Friedrichs Peter翻譯:趙佳碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進的器件設(shè)計都會非常關(guān)注導通電阻,將其作為特定技術(shù)的主要基準參數(shù)。然而,工程師們必須在主要性能指標(如電阻和開關(guān)損耗),與實際應(yīng)用需... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC MOSFET 碳化硅 英飛凌 2023-4-12 14:01
中電網(wǎng) 中國電子行業(yè)研發(fā)工程師一站式服務(wù)平臺
關(guān)于中電網(wǎng) 廣告招商 聯(lián)系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網(wǎng)導航 手機中電網(wǎng) 中電網(wǎng)官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網(wǎng) 版權(quán)所有 京ICP備19016262號-2 京公網(wǎng)安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099