前往首頁 聯系我們 網站地圖
新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅(SiC)替代器件全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... (來源:新品頻道)
Transphorm TO-247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099