新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設(shè)計選項或碳化硅(SiC)替代器件全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... (來源:新品頻道)
Transphorm TO-247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50