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新推出的氮化鎵場效應(yīng)晶體管可作為原始設(shè)計選項或碳化硅（SiC）替代器件全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... （來源：新品頻道）
Transphorm TO－247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
新設(shè)計工具有助于加速兩輪電動車市場的產(chǎn)品設(shè)計，并幫助系統(tǒng)工程師充分利用SuperGaN FET的優(yōu)勢全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼TGAN）宣布推出兩款面向電動車充電應(yīng)用的全新參考設(shè)計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和15... （來源：新聞頻道）
Transphorm 兩輪和三輪電動車電池充電器 SuperGaN FET器件 2023-12-21 16:08
新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合代表著下一代電源系統(tǒng)未來的，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN® FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS 晶體管的導(dǎo)通... （來源：新聞頻道）
TransphormTOLT封裝FET器件TP65H070G4RS 晶體管 2023-11-29 11:13
三款新器件為SMD的高功率系統(tǒng)帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優(yōu)勢，此類高功率系統(tǒng)需要在高功率密度的情況下實現(xiàn)更高的可靠性和性能，并產(chǎn)生較低的熱量新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （來源：新品頻道）
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
• 提供最廣泛的功率范圍：此次參展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 設(shè)計將揭示 1200 V SuperGaN 器件的設(shè)計資源• 觀眾將見證 SuperGaN 平臺無可比擬的可靠性、效率和性能Transphorm, Inc. (納斯達(dá)克代碼：TGAN) 是一家提供高可靠性、高性能氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)和... （來源：新聞頻道）
Transphorm PCIM 2023 GaN 解決方案 2023-4-21 10:03
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