前往首頁 聯系我們 網站地圖
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的... （來源：技術文章頻道）
SiC 2025-6-13 10:28
本文作者：Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效... （來源：技術文章頻道）
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
作者：Qorvo功率器件高級工程經理Pete Losee寬帶隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的級聯和共封裝硅MOSFET，正在引領降低半導體開關功率損耗的競賽。這種安排產生了一個常關器件，帶有一個簡單的柵極驅動器和一個由“品質因數”組成的獎杯柜，擊敗了所有競爭技術。對于給定電壓等級的器件RDS(A... （來源：技術文章頻道）
Qorvo SiC FET 碳化硅 UJ4SC075005L8S 2023-11-30 15:12
作者：Pete LoseeSiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最... （來源：技術文章頻道）
SiC－FET TOLL封裝 碳化硅 2023-9-8 11:13
本文作者：David Schnaufer，Qorvo技術營銷傳播經理每隔一段時間便會偶爾出現全新的半導體開關技術；當這些技術進入市場時，便會產生巨大的影響。使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術無疑已經做到了這一點。與傳統硅基產品相比，這些寬帶隙技術材料在提升功率轉換效率和縮減尺寸方... （來源：技術文章頻道）
SiC FET 碳化硅 氮化鎵 2023-9-4 10:17
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到5條【UJ4SC075005L8S】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博