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↓在全部中搜索到 205 條關于“GAA”的信息，用時:0.043 sec.

“環抱”晶體管與“三明治”布線

在半導體制程技術的前沿，英特爾正穩步推進其“四年五個制程節點”計劃，加速實現在2025年推出尖端的制程節點Intel 18A。今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節點，也將用于Intel 18A。RibbonFET：柵極“...
晶體管Intel－18A英特爾RibbonFET 2024-09-13

既要支持5G 頻帶又要支持傳統頻帶？你需要一個這樣的天線！

作者： Bill Schweber 本文以 Abracon LLC 的說明性單元為代表，探討了服務于低頻帶 5G 頻譜以及傳統頻帶的寬帶天線。文中展示了如何使用這種類型的天線（無論是看得見的外置單元還是內置的嵌入式單元）來簡化設計和物料清單 (BOM)，以及在需要時加快到 5G 的升級安裝。除了隨處可...
5G頻帶天線 2024-07-02

晶體管的第一個76年：變小了，卻變大了？

1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產品的最重要組成部分。晶體管被譽為20世紀最偉大的發明之一，它改進了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，為電子設備的發展奠定了基礎，也為人們帶來了便捷高...
CMOS晶體管芯片設計 2023-06-20

私有5G網絡悄然興起，你準備好了嗎？

圖源：katemangostar/freepik.com 無線網絡打開了高速數據傳輸的大門，其中包括商業運營商的3G、4G和5G服務以及諸如藍牙和Wi-Fi等更多私有網絡。無線技術的進步如此之大，以至于數據消費者普遍期望和需要高分辨率的流視頻。從個人使用到私有用途，再到商業、政府甚至軍事用途，無線協議和傳輸/接收系統...
5G網絡無線網絡 2022-12-29

SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術

作者：泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理 Aaron Fellis 芯片已經無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新換代都在變得更快速、更智能、更強大。創建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現...
SPARCDRAM沉積技術 2022-10-09

GAAFET，是什么技術？

作者：劉松，美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環繞柵極場效應晶體管）？數字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發展到7nm、3nm、2nm，這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面...
GAAFETMOSFET 2022-08-22

晶體管的未來：3D堆疊CMOS

在過去的 50 年中，影響最深遠的技術成就可能是晶體管一如既往地穩步向更小邁進，使它們更緊密地結合在一起，并降低了它們的功耗。然而，自從 20 多年前筆者在英特爾開始職業生涯以來，我們就一直在聽到警報——晶體管下降到無窮小的狀態即將結束。然而，年復一年，出色的新創新繼續推動半導體行業進一...
晶體管CMOS 2022-08-12

臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術 2021年試產

盡管2020年全球半導體行業會因為疫情導致下滑，但臺積電的業績不降反升，掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上，臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預定在2022年下半年量產。臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術論壇，正式公布3nm工藝詳情，不過這個技術會議已經延期到8月份，今...
臺積電3nm工藝FinFET晶體管技術 2020-04-17

長鑫存儲亮相閃存技術峰會引領中國DRAM技術突破

在今日舉辦的中國閃存技術峰會(CFMS)上，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士做了題為《DRAM技術趨勢與行業應用》的演講，披露了DRAM技術發展現狀和未來趨勢。作為中國DRAM產業的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發的DRAM技術和專利，引領中國實...
長鑫存儲DRAM技術閃存技術峰會 2019-09-19

三星：7nm EUV工藝明年1月量產已完成5nm研發

隨著NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工，三星在晶圓代工市場上總算又拉來一個客戶，如果算上之前的IBM Power 10以及傳聞中的高通驍龍865訂單，再加上三星自己的7nm Exynos芯片，三星在7nm節點總算有所收獲了。與臺積電相比，三星在7nm及未來的5nm節點上確實還要落后，主要是時間進度上，臺積電的7nm去年都量...
7nm EUV工藝FinFET晶體管技術 2019-07-08

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