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應(yīng)用開發(fā)

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3D時代值得關(guān)注的趨勢

作者：泛林集團公司副總裁兼電介質(zhì)原子層沉積產(chǎn)品總經(jīng)理 Aaron Fellis隨著電子設(shè)備精密化，人們愈發(fā)要求半導(dǎo)體技術(shù)能以更低的成本實現(xiàn)更優(yōu)的性能和更大的容量。這些趨勢推動了半導(dǎo)體技術(shù)的重大進步，在過去十年中2D NAND逐漸過渡到3D NAND。邏輯領(lǐng)域的3D過渡也已經(jīng)開始，F(xiàn)inFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）技術(shù)...
3D NANDGAA晶體管存儲器 (DRAM) 2023-06-02

臺積電：2nm芯片將于2025年投產(chǎn) 首次使用GAA技術(shù)

第一季度財報電話會議上，臺積電報告稱正全力以赴地開發(fā)下一代工藝節(jié)點。這家半導(dǎo)體巨頭計劃在今年晚些時候?qū)⑼懂a(chǎn)首批 3 納米工藝，并在 2025 年底前做好 2 納米工藝的準(zhǔn)備。在本次電話會議上，高盛公司的分析師 Bruce Lee 向臺積電首席執(zhí)行官魏哲家（C.C. Wei）詢問了 2 個問題。第 1 個問題...
臺積電2nm芯片 2022-04-18

三星3nm工廠即將動工：全球首發(fā)GAA工藝功耗直降50%

三星的晶圓代工部門最近負面不斷，此前有消息稱部分員工涉嫌偽造和虛報5nm、4nm、3nm工藝制程的良品率，以致于高通這樣的VIP客戶都要出走，重新使用臺積電生產(chǎn)驍龍8處理器。　　不過從技術(shù)上來說，三星現(xiàn)在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠，雖然在7nm、5nm及4nm節(jié)點上落后了一些，但在接下來的...
三星3nm晶圓代工 2022-03-10

GAA FET將為2nm、3nm發(fā)展鋪平道路

一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發(fā)新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術(shù)投入生產(chǎn)將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節(jié)點的新型全柵場效應(yīng)晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎(chǔ)，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET...
GAAFET柵極晶體管 2021-02-22

臺積電3nm技術(shù)有序推進，2nm將轉(zhuǎn)向GAA晶體管

晶圓代工龍頭臺積電報喜！董事長劉德音近日受邀于2021年國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2021）開場線上專題演說時指出，臺積電3納米制程依計劃推進，甚至比預(yù)期還超前了一些，3納米及未來主要制程節(jié)點將如期推出并進入生產(chǎn)。臺積電3納米制程預(yù)計今年下半年試產(chǎn)，明年下半年進入量產(chǎn)。劉德音在演說時...
臺積電3nm 2021-02-19

西門子的 Analog FastSPICE 平臺獲得三星Foundry認證，可支持 3nm GAA 工藝技術(shù)設(shè)計

西門子近日宣布，其業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號（AMS）電路驗證工具現(xiàn)可用于三星Foundry 3nm 環(huán)繞柵極（GAA）工藝技術(shù)。通過此次認證，客戶能夠盡早使用 Analog FastSPICE™（AFS）平臺對三星最先進的工藝技術(shù)進行 AMS 設(shè)計驗證。相比于之前的工藝節(jié)點，三星 3nm GAA 平臺可以縮小硅片總體尺寸...
西門子Analog FastSPICE 2021-02-01

三星2021年量產(chǎn)3nm 工藝芯片

三星近日在日本舉行的“三星晶圓代工論壇”（SFF）上，公布了其新一代工藝的進展，3nm工藝預(yù)計2021年量產(chǎn)。據(jù)悉在3nm節(jié)點上，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝。GAA晶體管，三星稱之為3GAE工藝?；谌碌腉AA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FE...
GAA晶體管3nm 工藝芯片 2019-09-16

新思科技完成三星全環(huán)柵晶體管SoC的設(shè)計定案

-Fusion Design Platform成功促進三星代工廠完成業(yè)界首個全環(huán)柵晶體管片上系統(tǒng)的設(shè)計定案-緊密合作推動了持續(xù)創(chuàng)新，加快了下一代工藝技術(shù)的發(fā)展重點廣泛合作讓新思科技與三星代工廠(Samsung Foundry)成功使用經(jīng)硅驗證的全環(huán)柵場效應(yīng)晶體管，推出下一代晶體管技術(shù)使用新思科技Fusion Design Platform（包...
全環(huán)柵(GAA)片上系統(tǒng)(...GAA晶體管架構(gòu) 2019-03-07

三星半導(dǎo)體：下半年會量產(chǎn)7nm EUV工藝 3nm最早2021年投入量產(chǎn)

在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布采用5／4／3nm工藝技術(shù)。根據(jù)Tom＇s Hardware今天的新聞，根據(jù)三星高管所說，他們今年下半年會量產(chǎn)7nm EUV工藝，2021年則會量產(chǎn)更先進的3nm GAA工藝。此外，三星還表示，將在今年下半年開始生產(chǎn)7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使...
GAA工藝三星半導(dǎo)體EUV工藝 2019-01-14

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2013-04-22

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