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[原創(chuàng)]On Semi NCP51820氮化鎵GaN功率開(kāi)關(guān)高速半橋驅(qū)動(dòng)方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)滿(mǎn)足驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開(kāi)關(guān)嚴(yán)格要求. NCP51820提供先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)移技術(shù),具有短匹配傳播延遲,高邊驅(qū)動(dòng)時(shí)共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅(qū)動(dòng)時(shí)共模電壓范圍...
電源管理GaN功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器On SemiNCP51820 2021-07-13

[原創(chuàng)]ST MASTERGAN1 650V增強(qiáng)模式GaN HEMT解決方案

ST公司的MASTERGAN1是先進(jìn)的功率系統(tǒng)級(jí)封裝,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)模式半橋配置的GaN晶體管.集成的功率GaN的RDS(ON)為150 mΩ,漏-源擊穿電壓為650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高邊柵極驅(qū)動(dòng)器很容易有集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1器件在低邊和高邊驅(qū)動(dòng)兩部分有UVLO保護(hù),從而阻止了功率開(kāi)關(guān)工作在...
電源管理GaN HEMTSTMASTERGAN1 2021-06-15

[原創(chuàng)]Infineon 1EDF5673K單路高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)方案

Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強(qiáng)隔離的高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器.CoolGaN™和相近GaN開(kāi)關(guān)在”開(kāi)態(tài)”時(shí)需要連續(xù)柵極電流幾個(gè)mA,而由于低閾值電壓和極快開(kāi)關(guān)瞬態(tài),還需要負(fù)”關(guān)態(tài)”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅(qū)動(dòng)器滿(mǎn)足這些要求,但是它依賴(lài)于開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)的占空比特性和缺少負(fù)柵極驅(qū)動(dòng).Infine...
工業(yè)控制GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器Infineon1EDF5673K 2021-01-13

[原創(chuàng)]TI LMG3425R050600V 50mΩGaN FET解決方案

TI公司的LMG3422R030是600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)者在電源系統(tǒng)中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)速度高達(dá)150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器更高的安全操作區(qū)域(SOA).這種集成以及相應(yīng)的低電感封裝,在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁?..
電源管理GaN FET太陽(yáng)能UPSTILMG3425R050600V 2020-12-30

[原創(chuàng)]TI LMG3422R030 600V 30mΩGaN FET應(yīng)用評(píng)估方案

TI公司的LMG3422R030是600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,使設(shè)計(jì)者在電源系統(tǒng)中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅(qū)動(dòng)器是開(kāi)關(guān)速度高達(dá)150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器更高的安全操作區(qū)域(SOA).這種集成以及相應(yīng)的低電感封裝,在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁?..
電源管理GaN FET太陽(yáng)能UPSTILMG3422R030 2020-12-10

[原創(chuàng)]Infineon IGOT60R070D1 600 V增強(qiáng)GaN功率晶體管應(yīng)用方案

Infineon公司的IGOT60R070D1是CoolGaN™ 600 V增強(qiáng)氮化鎵(GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT),具有最高質(zhì)量的最高的效率和功率密度.增強(qiáng)模式晶體管通常處于開(kāi)關(guān)態(tài)(OFF),具有超快開(kāi)關(guān)速度,沒(méi)有反向恢復(fù)的電荷,并能反向?qū)?器件具有低柵極電荷,低輸出電荷,以及優(yōu)越的換向堅(jiān)固性,工業(yè)應(yīng)用具有JEDEC標(biāo)準(zhǔn)資...
電源管理開(kāi)關(guān)電源增強(qiáng)GaNCoolGaNHEMTInfineonIGOT60R070D1 2020-12-04

[原創(chuàng)]TI TIDM－02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)

TI公司的TIDM-02008是采用C2000™ MCU和LMG341xR070600-V 70-mΩGaN FET的雙向高密度GaN晶體管CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì).具有交錯(cuò)3.3kW單相雙向無(wú)橋CCM圖騰柱PFC級(jí),100kHz脈寬調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān),可編輸出電壓,380V DC為正常輸出值,峰值效率大于98%,總諧波失真(THD)小于2%,支持powerSUITE™,便于容易設(shè)...
電源管理AC／DC轉(zhuǎn)換器GaN FETTITIDM－02008 2020-10-30

[原創(chuàng)]ST MASTERGAN1 650V氮化鎵(GaN)晶體管半橋驅(qū)動(dòng)方案

ST公司的MASTERGAN1是650V增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進(jìn)的功率系統(tǒng)級(jí)封裝,集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的增強(qiáng)模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅(qū)動(dòng)很容易由集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1對(duì)低和高驅(qū)動(dòng)部分具有UVLO保護(hù),以防止功率...
電源管理氮化鎵高遷移率晶體管...開(kāi)關(guān)電源DC／DC轉(zhuǎn)換器STMASTERGAN1 2020-10-21

[原創(chuàng)]Infineon IGT40R070D1 E8220 400V GaN D類(lèi)放大器解決方案

Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增強(qiáng)模式氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT).該器件通過(guò)在體二極管的零反向恢復(fù)電荷和非常小的線性輸入和輸出電容,克服了技術(shù)阻擋層如線性和功率損耗.CoolGaN™由于具有低/線性Coss,零Qrr和常開(kāi)開(kāi)關(guān),理想的D類(lèi)音頻放大器提供0%失真和100%效率.D類(lèi)放大器線...
D類(lèi)放大器GaN HEMTInfineonIGT40R070D1E8220 2020-09-15

[原創(chuàng)]TI LMG341xR070 GaN雙向CCM圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì)TIDM－02008

TI公司的LMG341xR070是集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)特性的GaN功率級(jí),在功率電子系統(tǒng)中達(dá)到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有優(yōu)勢(shì)是超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)以降低開(kāi)關(guān)損耗達(dá)80%之多,而低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴則降低了EMI.這些優(yōu)點(diǎn)使得功率密度和拓?fù)漕?lèi)似于圖騰柱PFC.集成的驅(qū)動(dòng)器具有零共...
電源管理PFCGaNTILMG341xR070TIDM－02008 2020-08-07

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