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全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工企業X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，憑借其在高功率應用領域氮化鎵（GaN）加工技術方面的專業優勢，X-FAB基于其XG035技術平臺推出針對dMode器件的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）代工服務。此舉進一步發揮和強化了X-FAB作為專業純晶圓代工企業... （來源：新聞頻道）
X FABGaN on Si代工服務 2025-9-5 14:31
同時加快車載GaN器件的開發速度，以盡快投入量產 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、車載設備以及需要支持大... （來源：新品頻道）
ROHMATXGaN HEMT 2025-2-14 13:05
作者: 付斌眾所周知，英特爾的數字芯片引領著行業發展，但其實，這家巨頭背后也非常重視處理器的供電能力。要知道，處理器能否發揮真正的性能，不止在于器件本身，而在于整個系統。英特爾很早以前，就看好氮化鎵（GaN）在功率器件中的應用。一方面，是投資相關的企業，比如英特爾曾在2014年9月領投 GaN... （來源：新聞頻道）
英特爾GaN新技術 2023-12-18 10:06
GTH2e-2425300P可在標準氣腔中為ISM應用提供一流的寬帶效率（>72%）和射頻性能，并且所需的調諧最少知名的GaN RF半導體解決方案供應商Gallium Semiconductor今天宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器，這是一款2.4-2.5 GHz、300W的預匹配離散型GaN on SiC高電子遷移率晶體管（High Electron Mobilit... （來源：新品頻道）
Gallium Semiconductor ISM CW放大器 GTH2e－2425300P 2023-9-20 10:12
作者： Jeff Shepard硅 (Si) 仍然是功率半導體的主流材料。但在 2023 年，碳化硅 (SiC) 相關的技術發展可能會吸引更多設計人員嘗試這種新材料。您愿意加入其中嗎？Wolfspeed 和 STMicroelectronics 等 SiC 供應商篤定您不會錯過這樣的機會。這些供應商已經宣布轉向 200 mm 晶圓，這是目前 150 mm 晶圓面... （來源：技術文章頻道）
碳化硅 2023-2-21 10:51
摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道，寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一，而在這一領域，國內企業有望實現彎道超車。寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導體”。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體 SiC 2022-10-20 10:12
MaxLinear Inc. (NASDAQ: MXL) 和 Qorvo (NASDAQ: QRVO) 今天宣布推出一項聯合解決方案，旨在應對 32x32 和 64x64 大規模 MIMO 無線電在尺寸、重量和功耗方面的關鍵挑戰。該解決方案支持高效功率放大器 (PA)，減小了無線電的功率、重量和體積，使大規模 MIMO 無線電更加實用。此外，此解決方案在功耗和... （來源：新聞頻道）
MaxLinear QorvoMIMO 無線電 2022-6-30 13:23
在本章，我們將介紹設計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 以及其他 GaN 應用的一些技術，并描述 GaN 在許多射頻 (RF) 前端中的應用。我們還將探討技術領導者如何在分立式、單芯片微波集成電路 (MMIC) 以及高度集成模塊中使用 GaN 技術，以滿足許多應用領域需求。我們還將說明 GaN 熱建模在應用中的一些重要... （來源：技術文章頻道）
GaN 技術 射頻前端 GaN PA 2022-5-7 10:07
近日，第31屆中國南京金秋經貿洽談會上，投資30億元的百識第三代半導體6英寸晶圓制造項目成功簽約南京浦口。 該項目由南京百識電子科技有限公司建設，總投資30億元，擬用地80畝，建立第三代半導體外延片+器件專業代工，可以承接國內外IDM與design house的委托制作訂單，串接國內上下游產業鏈，達到... （來源：新聞頻道）
百識6英寸晶圓 2020-9-21 17:07
5G基站對功率放大器芯片和其他射頻設備的需求不斷增加，使不同公司和技術之間開始激烈PK。 功率放大器是提高基站射頻功率信號的關鍵部件，它基于兩種有競爭力的技術，硅基LDMOS或射頻GaN（GaN）。GaN是一種III-V技術，其性能優于LDMOS，是5G高頻需求的理想選擇，但GaN價格昂貴，并在制造過程中存在一... （來源：新聞頻道）
5GPA 2020-8-25 15:19
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