<dl id="skecm"></dl>
前往首頁 聯系我們 網站地圖
2025年9月12日，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發，并在全球首次構建了量產體系。 SK海力士表示：“公司成功開發將引領人工智能新時代的HBM4，并基于此技術成果，在全球首次構建了HBM4的量產體系。此舉再次向全球市場彰顯了公司在面向AI的存儲器技術領域的... （來源：新聞頻道）
SK海力士HBM4 2025-9-12 13:24
在半導體產業鏈中，封裝測試是決定產品可靠性的“最后一公里”。SEMI研究表明，封裝環節的質量缺陷占成品失效原因的35%以上，而測試成本高達整體制造成本的20%-30%。面對工藝復雜性攀升及車規級“零缺陷”要求，構建深度融合行業特性的QMS質量管理系統已成為封測企業的核心戰略。 ... （來源：新聞頻道）
格創東智封測 2025-9-8 18:11
隨著高效能運算（HPC）工作負載日益復雜，生成式 AI 正加速整合進現代系統，推動先進內存解決方案的需求因此日益增加。為了應對這些快速演進的需求，業界正積極發展新一代內存架構，致力于提升帶寬、降低延遲，同時增加電源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型內存技術的突破正重新定義運算效能，而專為 AI 優... （來源：新聞頻道）
智能化產品 2025-8-28 13:10
聚焦高性能模擬與數模混合產品的供應商思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出面向I3C應用的電平轉換芯片TPT29606，可以傳輸開漏（Open-Drain）信號和推挽（Push-Pull）信號，兼容I2C和SPI等應用場景，支持最低0.72V供電電壓，最高26Mbps的傳輸速率，廣泛應用于服務器、路由器、存儲、PC等領域。 &nbs... （來源：新品頻道）
思瑞浦電平轉換器TPT29606 2025-8-12 16:30
美光首席商務官 (CBO) Sumit Sadana 在出席美國當地時間昨日舉行的 2025 年 Keybanc 技術大會時表示，定制 HBM 內存將在 HBM4 后的 HBM4E 時代正式落地。 Sumit Sadana 提到，從 HBM4 開始 HBM4 內存基礎芯片 Base Die 采用邏輯 CMOS 制程，現階段該芯片主要包含內存接口 IP；而在 HBM4E 世代一... （來源：新聞頻道）
美光HBM4E 內存 2025-8-12 14:35
以更高性能、更高效數據處理及車規級可靠性驅動下一代汽車創新 全球存儲解決方案領軍企業Kioxia Corporation今日宣布，已開始提供面向汽車應用的全新通用閃存存儲(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存儲設備樣品(1)。這些新設備專為滿足下一代車載系統的嚴苛需求而設計，憑借Kioxia第8代BiCS FLASH&trade... （來源：新品頻道）
KioxiaUFS 閃存 2025-8-1 14:13
集成的子系統，已針對包括小芯片（chiplet）在內的客戶應用進行優化 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布業內首個 LPDDR6/5X 內存 IP 系統解決方案完成流片。該解決方案已經過優化，運行速率高達 14.4Gbps，比上一代 LPDDR DRAM 快 50%。全新的 Cadence® LPDDR6/5X ... （來源：新聞頻道）
CadenceLPDDR6內存 IP 2025-7-16 14:49
隨著 JEDEC 協會公布 LPDDR6 DRAM 規范，Cadence 也正式推出了業界首款 LPDDR6/5X 14.4Gbps (14400MT/s) 內存 IP 系統，這一解決方案此前已在楷登電子與三星晶圓代工的合作中提到過。 Cadence 的 LPDDR6/5X 14.4Gbps IP 現已完成流片，運行速度比上一代 LPDDR DRAM 提升至高 50%。其包含高... （來源：新品頻道）
Cadence 楷登電子內存 2025-7-11 13:13
全球存儲解決方案領導者Kioxia Corporation今日宣布，已開始提供全新的通用閃存存儲(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存儲設備樣品，進一步鞏固其在高性能存儲領域的領先地位。這些新設備專為滿足下一代移動應用程序的需求而設計，包括搭載設備端AI的高級智能手機，它在小型BGA封裝中實現了性能提升與更高的... （來源：新品頻道）
Kioxia嵌入式閃存 2025-7-11 11:41
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電... （來源：新品頻道）
英飛凌 導通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車 工業 2025-7-1 11:20
中電網 中國電子行業研發工程師一站式服務平臺
關于中電網 廣告招商 聯系我們 招聘信息 友情鏈接 中電網導航 手機中電網 中電網官方微博
Copyright © 2000-2025 中電網 版權所有 京ICP備19016262號-2 京公網安備 11010802037127號
Tel: 010-53682288, 0755-33322333 Fax: 0755-33322099
搜索到694條【JEDEC】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
中電網官方微博