據(jù)“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協(xié)議。雙方將在技術協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開深入合作，具體包括提... （來源：新聞頻道）
SiC車載用SiC器件SiC襯底 2025-10-15 15:11
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能... （來源：新聞頻道）
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
據(jù)“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱"東芝電子元件"）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱"天岳先進"）就天岳先進開發(fā)制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協(xié)議，雙方將開展以下合作：針對SiC功率半導體特性提升與... （來源：新聞頻道）
天岳先進東芝電子 2025-8-25 11:12
4月22日，博世半導體和琻捷電子正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議！雙方將充分發(fā)揮各自資源優(yōu)勢，增強信息、技術共享水平，產(chǎn)生規(guī)模效應，改善相互之間的合作關系，保持相互間的高度信任，提高雙方市場影響力，實現(xiàn)雙方共同發(fā)展，建立長期穩(wěn)定合作關系。 戰(zhàn)略合作儀式合影 雙方將圍繞車載無線解決方案、高... （來源：新聞頻道）
琻捷電子博世汽車電子半導體 2025-4-24 12:48
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-qformat:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-... （來源：技術文章頻道）
碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
尼得科精密檢測科技株式會社將參展2024年12月11日(周三)～12月13日(周五)于東京國際會展中心舉辦的“SEMICON Japan 2024”（2024日本東京半導體展覽會）。 在本屆展覽會上，尼得科精密檢測科技將展出針對IGBT/SiC功率半導體檢測設備、EV/HEV等驅(qū)動電機測試臺以及晶圓檢測夾具“探針卡”等新的解決方... （來源：新聞頻道）
尼得科 精密檢測 SEMICON Japan 2024 2024-11-21 11:12
通過開發(fā)車載功率模塊，助力xEV技術創(chuàng)新長城汽車旗下的無錫芯動半導體科技有限公司（Wuxi XinDong Semiconductor Technology Co., Ltd. ，以下簡稱“芯動半導體”）與全球知名半導體廠商羅姆（ROHM Co., Ltd. ，以下簡稱“羅姆”）簽署了以SiC為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。隨著新能... （來源：新聞頻道）
芯動半導體 羅姆 2024-10-11 10:48
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點。在常壓下，不存在Si:C化學計量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長，而是采用... （來源：技術文章頻道）
SiC單晶 三菱電機 SiC功率半導體器件 2024-9-20 11:05
三菱電機集團近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產(chǎn)品，以滿足大型工業(yè)設備對能夠提高功率輸出和功... （來源：新品頻道）
三菱電機 SBD嵌入式 SiC－MOSFET模塊 2024-6-13 15:02
在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中... （來源：技術文章頻道）
Qorvo SiC FET SiC MOSFET 2024-4-25 10:36
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