據(jù)“天岳先進”官方微信公眾號消息,8月22日,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱“東芝電子元件”)與山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱“天岳先進”)就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協(xié)議。雙方將在技術協(xié)作與商業(yè)合作兩方面展開深入合作,具體包括提... (來源:新聞頻道)
SiC車載用SiC器件SiC襯底 2025-10-15 15:11
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
據(jù)“天岳先進”官方微信公眾號消息,8月22日,東芝電子元件及存儲裝置株式會社(以下簡稱"東芝電子元件")與山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱"天岳先進")就天岳先進開發(fā)制造的SiC功率半導體用襯底達成基本協(xié)議,雙方將開展以下合作:針對SiC功率半導體特性提升與... (來源:新聞頻道)
天岳先進東芝電子 2025-8-25 11:12
4月22日,博世半導體和琻捷電子正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議!雙方將充分發(fā)揮各自資源優(yōu)勢,增強信息、技術共享水平,產(chǎn)生規(guī)模效應,改善相互之間的合作關系,保持相互間的高度信任,提高雙方市場影響力,實現(xiàn)雙方共同發(fā)展,建立長期穩(wěn)定合作關系。 戰(zhàn)略合作儀式合影 雙方將圍繞車載無線解決方案、高... (來源:新聞頻道)
琻捷電子博世汽車電子半導體 2025-4-24 12:48
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:普通表格; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-qformat:yes; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-... (來源:技術文章頻道)
碳化硅Cascode JFET晶體管硅到碳化硅 2025-3-11 10:26
尼得科精密檢測科技株式會社將參展2024年12月11日(周三)~12月13日(周五)于東京國際會展中心舉辦的“SEMICON Japan 2024”(2024日本東京半導體展覽會)。 在本屆展覽會上,尼得科精密檢測科技將展出針對IGBT/SiC功率半導體檢測設備、EV/HEV等驅(qū)動電機測試臺以及晶圓檢測夾具“探針卡”等新的解決方... (來源:新聞頻道)
尼得科 精密檢測 SEMICON Japan 2024 2024-11-21 11:12
通過開發(fā)車載功率模塊,助力xEV技術創(chuàng)新長城汽車旗下的無錫芯動半導體科技有限公司(Wuxi XinDong Semiconductor Technology Co., Ltd. ,以下簡稱“芯動半導體”)與全球知名半導體廠商羅姆(ROHM Co., Ltd. ,以下簡稱“羅姆”)簽署了以SiC為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。隨著新能... (來源:新聞頻道)
芯動半導體 羅姆 2024-10-11 10:48
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵,目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點。在常壓下,不存在Si:C化學計量比等于1:1的液相SiC。因此,通常用于硅晶體生長的以融液作為原料的方法不能用于SiC塊狀晶體生長,而是采用... (來源:技術文章頻道)
SiC單晶 三菱電機 SiC功率半導體器件 2024-9-20 11:05
三菱電機集團近日(2024年6月10日)宣布,從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一起,新命名的Unifull™系列包含3款產(chǎn)品,以滿足大型工業(yè)設備對能夠提高功率輸出和功... (來源:新品頻道)
三菱電機 SBD嵌入式 SiC-MOSFET模塊 2024-6-13 15:02
在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優(yōu)勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中... (來源:技術文章頻道)
Qorvo SiC FET SiC MOSFET 2024-4-25 10:36