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安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)將攜創(chuàng)新的智能電源方案和技術(shù),亮相上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM Asia 2025)。作為中國(guó)領(lǐng)先的電力電子展覽會(huì)暨研討會(huì),PCIM Asia于9月24-26日于上海新國(guó)際博覽中心舉辦(安森美展位號(hào):N5-C42)。 本次展會(huì),安森美將聚焦三... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
安森美PCIM Asia 2025汽車(chē)工業(yè)AI電源 2025-9-10 11:37
作者:Catherine De Keukeleire,可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān),寬禁帶,安森美幾十年來(lái),硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無(wú)處不在。然而,隨著汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限性變得越來(lái)越明顯。隨著行業(yè)不斷探索解決方案,寬禁帶(WBG)材料,... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅制造 SiC 電力電子 2024-10-24 10:32
全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),富川晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片 SiC 晶圓安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼:ON)宣布,其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片 200mm SiC 晶圓。為了支持 SiC 產(chǎn)能的提升,安森美計(jì)劃在未來(lái)三年... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
安森美 碳化硅 2023-10-24 15:32
碳化硅 (SiC)是一種新興的新型寬禁帶 (WBG) 材料,特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用。然而,大家對(duì)它的諸多不了解限制了設(shè)計(jì)人員對(duì)它的充分利用。 圖 1:SiC 晶圓圖片 有些人認(rèn)為,氮化鎵 (GaN) 是硅 MOSFET 的首選替代品,而 SiC 純粹是 IGBT 的替代品。然而,SiC 具有出色的 RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù) (FoM) ... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅 (SiC)SiC 晶圓 2023-8-15 15:22
作者: Jeff Shepard硅 (Si) 仍然是功率半導(dǎo)體的主流材料。但在 2023 年,碳化硅 (SiC) 相關(guān)的技術(shù)發(fā)展可能會(huì)吸引更多設(shè)計(jì)人員嘗試這種新材料。您愿意加入其中嗎?Wolfspeed 和 STMicroelectronics 等 SiC 供應(yīng)商篤定您不會(huì)錯(cuò)過(guò)這樣的機(jī)會(huì)。這些供應(yīng)商已經(jīng)宣布轉(zhuǎn)向 200 mm 晶圓,這是目前 150 mm 晶圓面... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅 2023-2-21 10:51
文章來(lái)源:Power Electronics News在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料,但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料,它能減輕對(duì)硅的依賴(lài)。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體:將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高,并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅電氣化趨勢(shì) 2023-2-17 11:11
氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體現(xiàn)已量產(chǎn)并迅速擴(kuò)大市場(chǎng)份額。 據(jù)市場(chǎng)研究公司 Yole 稱(chēng),到 2027 年底,GaN 和 SiC 器件將占據(jù)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的 30%,取代硅 MOSFET 和 IGBT。 這是一個(gè)巨大的提升,需要更清楚地了解這些寬帶隙 (WBG) 同類(lèi)產(chǎn)品在基礎(chǔ)設(shè)計(jì)技術(shù)、制造實(shí)踐和目標(biāo)應(yīng)用方面的地位。Navit... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
碳化硅 氮化鎵 2023-2-6 10:40
近日,為持續(xù)擴(kuò)大碳化硅(SiC)產(chǎn)能,英飛凌宣布與Resonac(前身為昭和電工)簽訂多年期供應(yīng)及合作協(xié)議,以補(bǔ)充并擴(kuò)展雙方在2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在SiC 材料供應(yīng)方面的長(zhǎng)期合作,Resonac 將供應(yīng)英飛凌未來(lái)10 年預(yù)估需求量中雙位數(shù)份額的SiC晶圓。英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁Peter Wawer 表... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
英飛凌ResonacSiC材料 2023-2-1 15:37
2022年12月14日-15日,英飛凌科技(中國(guó))有限公司成功在線舉辦了以“數(shù)字智能、低碳未來(lái)” 為主題的OktoberTech™英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)。OktoberTech™是英飛凌主辦的全球性年度創(chuàng)新峰會(huì),旨在展示前瞻性技術(shù),推動(dòng)低碳化和數(shù)字化進(jìn)程。首屆OktoberTech™于2017年在硅谷啟動(dòng),并在新加坡... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
英飛凌生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì) 2022-12-15 16:17
近日,晶盛機(jī)電通過(guò)官方微信公眾號(hào)宣布,經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān),8月12日,首顆8英寸(200mm)N型SiC(碳化硅)晶體成功出爐,晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代,這是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。 據(jù)介紹,此次研發(fā)成功的8英寸碳化硅晶體,晶... (來(lái)源:新聞?lì)l道)
晶盛機(jī)電SiC晶體 2022-8-16 09:13
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