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在IEDM2024上，英特爾代工的技術研究團隊展示了晶體管和封裝技術的開拓性進展，有助于滿足未來AI算力需求。IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項技術突破，助力推動半導體行業在下一個十年及更長遠的發展。具體而言，在新材料方面，減成法釕互連技術（subtractive Rutheni... （來源：新聞頻道）
英特爾 IEDM2024 2024-12-9 11:20
英特爾公司首席執行官帕特•基辛格曾用兩個關鍵詞概括英特爾的“核心”和“靈魂”：一個是“創新”，一個是“執行力”。在2023年，面對日新月異的數字化進程帶來的新需求和新挑戰，英特爾繼續在技術領域矢志創新，取得了多項突破，并以強大的執行力穩步按照既定路線圖發布新產品，支持“芯經濟”的... （來源：新聞頻道）
英特爾 技術創新 2023-12-29 15:25
IBM在2023年12月早些時候的IEEE國際電子器件會議（IEDM）上展示了首個針對液氮冷卻進行優化的先進CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級研究員鮑汝強表示：“納米片器件結構使我們能夠在指甲大小的空間內容納50億個晶體管?！边@些晶體管有望取代當前的FinFET技術，... （來源：新聞頻道）
IBM CMOS晶體管 2023-12-22 15:59
作者: 付斌眾所周知，英特爾的數字芯片引領著行業發展，但其實，這家巨頭背后也非常重視處理器的供電能力。要知道，處理器能否發揮真正的性能，不止在于器件本身，而在于整個系統。英特爾很早以前，就看好氮化鎵（GaN）在功率器件中的應用。一方面，是投資相關的企業，比如英特爾曾在2014年9月領投 GaN... （來源：新聞頻道）
英特爾GaN新技術 2023-12-18 10:06
作者: 付斌隨著摩爾定律不斷推進，晶體管越來越小，密度越來越高，堆棧層數也越來越多。此時，細節就更能為芯片擠壓更多性能，背面供電就是一個。與此同時，它可能也是實現1nm的關鍵?？v觀目前行業，英特爾先發制人，臺積電、三星加碼跟進，在IEDM2023上，英特爾繼續推進這項技術，這次英特爾又放出了背... （來源：新聞頻道）
背面供電IEDM2023英特爾 2023-12-14 10:10
英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會議）上展示了多項技術突破，為其未來的制程路線圖提供了豐富的創新技術儲備，充分說明了摩爾定律仍在不斷演進。具體而言，英特爾研究人員在大會上展示了結合背面供電和直接背面觸點（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS晶體管，分享了近期背面供電研發... （來源：新聞頻道）
3D堆疊 英特爾 2023-12-11 11:28
在IEDM 2023上，英特爾展示了結合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管，這些開創性的技術進展將繼續推進摩爾定律。2023年12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國際電子器件會議）上展示了多項技術突破，為其未來的制程路線圖提供了豐富的創新技術儲備，充分說明了摩爾定律仍在不斷演進。... （來源：新聞頻道）
英特爾 晶體管微縮技術 2023-12-11 09:36
無線通信是基于電磁波所進行的通信技術。為了使不同的通信設備傳輸互不干擾，國際電信聯盟等無線電管理機構對無線頻譜的使用做了劃分，將不同頻率的頻譜資源，定義到不同的應用中。毫米波一般是指電磁波頻率近似在30GHz到300GHz頻段范圍內的電磁波，由于此頻段電磁波在真空中的波長大約在10mm～1mm之間... （來源：新聞頻道）
毫米波相控陣技術5G 2023-9-13 16:07
由sureCore公司牽頭的英國技術戰略委員會資助的CryoCMOS創新聯盟報告說，它已經成功地創造了新的PDK質量級的晶體管模型，其特點是4K和77K運作。SureCore正在利用這些技術開發關鍵基礎IP，以便設計用于量子計算領域的低溫控制ASIC。支持這一活動的關鍵是由比利時魯汶-拉-紐夫的Incize進行的精確的低溫測... （來源：新聞頻道）
CryoCMOS聯盟 晶體管模型 CryoIP 2023-5-11 16:21
IEEE里程碑牌匾是對單片集成大功率器件、精確模擬功能和復雜數字控制邏輯的 開創性研究成果的認可（芯片銷量達400億）。 中國，2021年5月19日 – 服務多重電子應用領域的全球半導體領導者意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)宣布，電氣與電子工程師協會(IEEE)... （來源：新聞頻道）
意法半導體單片多硅IEEE里程碑獎 2021-5-20 10:37
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