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↓在新聞中搜索到 613 條關于“DRAM”的信息，用時:0.003 sec.

美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領內存技術突破，滿足未來計算需求

美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態系統合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代CPU設計的1γ（1-gamma）第六代（10納米級）DRAM節點DDR5內存樣品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM節點的領先優勢，1γ DRAM節點的這一新里程碑將推動從云端、工業、消費應用...
dram美光 2025-02-28

旨在降低生成式人工智能系統DRAM需求的KIOXIA AiSAQ技術以開源軟件形式發布

軟件技術通過使用固態硬盤提高了RAG工作流程中矢量數據庫的擴展性和準確性世界領先的內存解決方案提供商Kioxia Corporation今天宣布開源發布其新的全存儲ANNS乘積量化（AiSAQ）技術(1)。KIOXIA AiSAQ™軟件采用針對固態硬盤優化的新型“近似最近鄰”搜索（ANNS）算法，可為檢索增強...
Kioxia人工智能系統DRAM 2025-02-07

美光計劃投資21.7億美元擴建美國DRAM工廠

據報道，美國弗吉尼亞州州長格倫・楊金表示，美光計劃投資21.7億美元（約合人民幣158.76億元）擴建其位于弗吉尼亞州馬納薩斯的半導體工廠。該項目將對該設施進行升級，以生產用于工業、汽車、航空航天和國防應用的特種DRAM存儲器。美光沒有提及升級晶圓廠的具體計劃，以及它將為生產設施增加多少...
美光DRAM工廠 2025-01-02

鎧俠宣布用于氧化物半導體的DRAM內存的OCTRAM技術

從服務器到個人電腦，再到帶獨立緩存的固態硬盤，高效的易失性存儲DRAM內存都是不可或缺的重要加速方案之一。鎧俠在近日宣布，已開發出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導體晶體管 DRAM）技術，這是一種新型4F² DRAM，由兼具高導通電流和超低漏電流的...
鎧俠DRAMOCTRAM 2024-12-30

Kioxia開發出OCTRAM（氧化物半導體通道晶體管DRAM）技術

存儲器解決方案領域的全球領導者Kioxia Corporation今天宣布開發出OCTRAM（氧化物半導體通道晶體管DRAM），這種新型4F2 DRAM由同時具有高導通電流和超低關斷電流的氧化物半導體晶體管組成。該技術有望通過發揮InGaZnO*1晶體管的超低泄漏特性來實現低功耗DRAM。這一消息是在2024年12月9日于加州舊金...
KioxiaOCTRAMDRAM 2024-12-12

三星平澤P4確認生產第六代DRAM，預計明年6月投運

三星電子已確認正準備在其平澤P4工廠引入DRAM處理設備，建設1c nm DRAM內存產線，并計劃于明年6月開始運營，旨在提升HBM4內存的能效競爭力。據悉，平澤P4是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為NAND閃存生產，二期為邏輯代工，三期、四期將專注于DRAM內存的生產。目前，三星已在...
三星第六代DRAM 2024-08-13

三星計劃 2025 年后在業界率先進入 3D DRAM 內存時代

據外媒 Semiconductor Engineering 報道，三星電子在行業會議 Memcon 2024 上表示計劃于 2025 年后在業界率先進入 3D DRAM 內存時代。DRAM 內存行業將于本十年后期將線寬壓縮至 10nm 以下。而在如此精細的尺度下，現有設計方案難以進一步擴展，業界因此正在探索包括 3D DRAM 在內的多種創新型內存設計。...
三星3D DRAM 內存 2024-04-02

三星考慮將 MUF 技術應用于服務器 DRAM 內存

據 TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現了一定惡化。經過測試，該公司得出結論，MUF 不適用于高帶寬內存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用...
MUFDRAM 內存 2024-03-04

美光將在西安封測工廠投資逾 43 億元，引入新產線制造 DRAM、NAND 及 SSD

美光科技今天宣布，計劃在未來幾年中對其位于中國西安的封裝測試工廠投資逾 43 億元人民幣。公告稱，美光科技已決定收購力成半導體（西安）有限公司（力成西安）的封裝設備，還計劃在美光西安工廠加建新廠房，并引進全新且高性能的封裝和測試設備，以期更好地滿足中國客戶的需求。美光科技表示：“該項...
美光西安封測工廠投資DRAMNANDSSD 2023-06-16

三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產

三星電子最新推出的DRAM將以更高的能效和生產率，優化人工智能應用在內的下一代計算今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優勢。 "采用差異化的工藝技術，三星業內先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的...
三星電子DDR5－DRAM 2023-05-18

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