英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列,繼續朝著成為GaN技術領導企業的目標邁進,并進一步鞏固了其全球汽車半導體領導者的地位。 英飛凌CoolGaN™ 100V G1車規級晶體管 英飛凌正式推出... (來源:新品頻道)
英飛凌晶體管 2025-11-6 10:00
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N,該芯片集成正負壓穩壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力,可以顯著簡化GaN驅動電路設計,提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... (來源:新品頻道)
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關——650 V CoolGaN™ G5雙向開關(BDS)。該產品采用共漏極設計和雙柵極結構,是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管(GIT)技術和... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolGaN G5雙向開關 2025-5-26 13:28
作為第三代半導體材料的代表者,氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領了全球功率半導體產業革新,隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展,其市場規模正呈現出爆發式增長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域,再次推動了氮化鎵革命,率先成功開發出了全球首... (來源:新品頻道)
英飛凌 氮化鎵晶圓 2024-12-9 10:26
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出新一代高壓(HV)和中壓(MV)CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵(GaN)的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓,進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫,這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能 8 英寸... (來源:新品頻道)
英飛凌 8英寸晶圓代工工藝 CoolGaN晶體管系列 2024-7-10 08:45
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出兩項全新的CoolGaN™產品技術:CoolGaN™雙向開關(BDS)和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS擁有出色的軟開關和硬開關性能,提供40 V、650 V 和 850 V電壓雙向開關,適用于移動設備USB端口、電池管理系統、逆變... (來源:新品頻道)
英飛凌 CoolGaN雙向開關 CoolGaN Smart Sense 2024-7-10 08:37
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產品于今日開始支持批量出貨。 截至目前,東芝的N溝道共漏極MOSFET產品線重點聚焦于12V產品,主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產品的發布為... (來源:新品頻道)
東芝MOSFET USB 電池組保護 2023-11-7 16:01
日前,中國領先的模擬芯片廠商——廣東希荻微電子股份有限公司(下稱“希荻微”或“公司”)宣布推出一款用于USB Type-C VBUS 保護的組合開關芯片。 HL5099是一款集成了雙通道VBUS電源開關和提供3.3V LDO(用于USB PD)應用的芯片。它包括一個可支持高達22V正向電壓和6V反向電壓的雙向高壓開關... (來源:新品頻道)
希荻微USB Type-C VBUS開關芯片 2022-7-15 14:21
全球電子元器件與開發服務分銷商e絡盟宣布供應安世半導體最新系列功率氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)。該創新系列GaN FET外形尺寸小,可實現高功率密度及高效率功率轉換,能夠以較低的成本開發出更高效系統,同時還可助力電動車、5G通信、物聯網等應用改進電源性能。隨著越來越多的立法提高碳排放減排要... (來源:新品頻道)
e絡盟 2020-9-18 17:02
專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應Analog Devices的LT8228和LTC7871雙向升降壓控制器。LT8228和LTC7871 控制器具有雙向電壓和電流調節以及雙向反向電流保護功能,為雙電池汽車和工業系統提供了簡單可靠的電源解決方案。 ... (來源:新品頻道)
LT8228 LTC7871貿澤 2020-8-4 15:32