三菱電機株式會社近日（2025年1月14日）宣布，將于2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用于太陽能和其他可再生能源發電系統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片，有助于降低太陽能發電系統、儲能電池等電源系統中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。 ... （來源：新品頻道）
三菱電機 第8代IGBT模塊 2025-1-20 10:43
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出新款符合汽車規格*的 36 通道線性 LED 電流驅動器。AL5887Q 具備驅動 RGB 配置及單獨 LED 的能力，可幫助設計人員在內外部燈具中實現多樣的動態照明模式與顏色深度，從而滿足OEM廠商的品牌差異化需求。這兩種控制功能簡化了過去復雜的 LED 式模塊設計，并... （來源：新品頻道）
Diodes 公司 LED 電流驅動器 2025-1-9 10:36
意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現高效的開關性能。因此，STL120N10... （來源：新品頻道）
意法半導體STL120N10F8STripFET F8晶體管 2023-5-24 15:38
近年來，能夠高效轉換電力的功率半導體作為促進實現低碳社會的關鍵器件而受到矚目，對其需求也一直在增加并呈現多樣化。尤其對于由可再生能源驅動的電力系統來說，由于需要更高的電能轉換效率，系統工作電壓不斷提高。事實上，在系統中使用電力變換器額定電壓達到DC1500V，這已經是歐洲低電壓指令*1的上... （來源：新品頻道）
三菱電機IGBT 2022-4-22 16:42
ST推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開關頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導通和關斷綜合損耗創市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業電機等類似設備的電源轉換效率。 新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓（VCE(sat)），可確保更低的壓降與最小的功率耗散，... （來源：新品頻道）
STS系列1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管雙極器件 2015-6-26 10:50
Vishay 發布采用Punch Through(PT)和Field Stop(FS)技術的新Trench IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)平臺。Vishay Semiconductors推出的這些器件可提高電機驅動、UPS、太陽能逆變器和焊接設備逆變器的效率，以裸片方式供貨，集電極到發射極的電壓較低，能夠快速和軟導通及關斷，從而降低傳導和開關損耗，650V的... （來源：新品頻道）
VishayPunch ThroughField StopTrench IGBT平臺 2014-12-22 14:18
ST推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝柵式場截止技術 (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽能逆變器 (solar inverters)、電焊機 (welding equipment)、不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 與工業電機驅動器等多項目標應用的能效和可靠性。 高度優化的導通性和關斷性以及低導通... （來源：新品頻道）
STM系列1200V IGBT太陽能逆變器不間斷電源 2014-12-11 17:07
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