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在追求高效能、小體積的電機驅動應用領域，傳統(tǒng)硅基(Si) 功率器件已逐漸觸及性能天花板。全球領先的氮化鎵功率半導體廠商英諾賽科 (Innoscience)，推出了兩款高性能低壓電機驅動方案：INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案) ，為機器人、無人機、電動工具等低壓電機應用帶來革命性突破... （來源：新品頻道）
英諾賽科GaN電機驅動 2025-9-12 14:22
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布與臺達電子工業(yè)股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）強化既有合作伙伴關系，共同開發(fā)高功率密度電源模塊，為超大型數(shù)據(jù)中心的AI處理器提供領先的垂直供電解決方案。這是雙方共同推動AI數(shù)據(jù)中心邁向低碳化與數(shù)字化的重要一步。 ... （來源：新品頻道）
英飛凌臺達電源模塊 2025-8-29 09:16
全球消費電子領導品牌貝爾金（Belkin）今日宣布正式發(fā)布其首款搭載ZSP（Zero-Standby Power，零待機功耗）技術的GaN充電器——Z-Charger。這款創(chuàng)新產品標志著快充技術邁入超低待機功耗新時代。 貝爾金Z-Charger融合了創(chuàng)新的ZSP芯片與先進的D-mode GaN*（氮化鎵）技術，在實現(xiàn)高功率快充和... （來源：新品頻道）
貝爾金氮化鎵充電器 2025-8-28 13:13
PowiGaN在輕載和滿載時均實現(xiàn)95%高效率，滿足關鍵的運行和安全功能需求 Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設計套件。與此同時，37支學生隊伍已整裝待發(fā)，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰(zhàn)賽，穿越澳洲內陸地區(qū)。 該套件型號為RDK-85SLR，采用了PI™公... （來源：新品頻道）
Power Integrations太陽能氮化鎵設計套件 2025-8-22 15:30
英諾賽科 (Innoscience) 雙向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性價比，可支持新型雙向電力電子系統(tǒng)。它取代了傳統(tǒng)的背靠背 Si MOSFET，顯著降低了功率損耗，提高了開關速度，并縮小了電源系統(tǒng)的尺寸，降低了 BOM 成本。 當前，我們正在擴展組件生態(tài)系統(tǒng)，通過100V 低邊驅動 IC INS1011SD&... （來源：新品頻道）
英諾賽科驅動IC 2025-8-11 09:22
隨著工業(yè) 4.0 時代的到來，工廠基礎設施不斷升級，產能不斷擴大，推動了該領域的快速增長。此外，家用電器也必須滿足更高的效率和可靠性標準。英諾賽科憑借全球高可靠性的氮化鎵，為電源系統(tǒng)設計人員提供了提高效率、減小尺寸和降低 BOM 成本的最有效方法。 全球領先的 GaN（氮化鎵）功率半導體供應... （來源：新品頻道）
英諾賽科電機驅動評估板 2025-7-2 11:08
100V 新品發(fā)布 全球領先的氮化鎵 (GaN) 供應商英諾賽科 (Innoscience) 宣布推出兩款基于 100V 雙冷卻 En-FCLGA 封裝的新產品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可實現(xiàn)太陽能微型逆變器、儲能系統(tǒng) (ESS)（直流輸入）和最大功率點跟蹤 (MPPT) 優(yōu)化器的最高效率。 ... （來源：新品頻道）
氮化鎵英諾賽科INN100EA050DAD INN100EA070DAD 2025-6-25 14:28
最新 DSC 器件配備專用外設，適用于數(shù)據(jù)中心電源及其他復雜實時系統(tǒng) 不斷演變的安全與功能安全需求，加之實時嵌入式應用日益復雜，正推動設計人員尋求能夠實現(xiàn)更高精度、更高可靠性并符合行業(yè)標準的創(chuàng)新解決方案。為應對這些挑戰(zhàn)，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）在其dsPIC33A... （來源：新品頻道）
Microchip 控制器 2025-6-19 11:49
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將為Rivian的R2平臺提供適用于牽引逆變器的功率模塊。R2平臺將使用英飛凌HybridPACK™ Drive G2產品系列的碳化硅（SiC）和硅（Si）模塊。英飛凌預計將從2026年開始供貨。此外，英飛凌還將為該平臺提... （來源：新品頻道）
英飛凌Rivian逆變器電動汽車 2025-6-11 09:24
納芯微發(fā)布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優(yōu)勢... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
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