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新推出的氮化鎵場效應晶體管可作為原始設計選項或碳化硅（SiC）替代器件全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫... （來源：新品頻道）
Transphorm TO－247封裝器件 SuperGaN 器件 2024-1-18 10:50
三款新器件為SMD的高功率系統帶來了SuperGaN的常閉型(Normally-Off D-Mode)平臺優勢，此類高功率系統需要在高功率密度的情況下實現更高的可靠性和性能，并產生較低的熱量新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TO... （來源：新品頻道）
TransphormTOLL封裝FET人工智能 2023-11-7 10:22
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