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作為萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)在亞太地區舉辦的重要技術交流活動，萊迪思亞太技術峰會(Lattice APAC Tech Summit)一直是公司展示低功耗FPGA技術、推動行業合作與創新的絕佳舞臺。 在今年的東京技術峰會上，包括三菱電機、德賽、Furukawa AS、Glory LTD、LIPS和恩智浦等在內的150余... （來源：技術文章頻道）
FPGA工業領域萊迪思 2025-8-22 09:26
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。 1. 閾值電壓特性 SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET 三菱電機 2025-3-28 11:10
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。 1. 正向特性 圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET 三菱電機 2025-3-17 11:00
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一... （來源：技術文章頻道）
SiC SBD 三菱電機 2025-3-3 10:31
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。 為了實現低碳社會，能夠高效電能變換的電力電子技術正在擴展到消費、工業、電氣化鐵路、汽車、太陽... （來源：技術文章頻道）
SiC模塊封裝技術 2025-2-14 11:25
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。 三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET，經過試制驗證，目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化，具有濾... （來源：技術文章頻道）
三菱電機NX封裝SiC功率模塊 2025-1-23 11:23
在Si-IGBT的DIPIPM基礎上，三菱電機開發了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優勢。 三菱電機從1997年開始將DIPIPM產品化，廣泛應用于空調、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由... （來源：技術文章頻道）
三菱電機SiC DIPIPM 2025-1-8 11:08
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。通過使用SiC，可實現額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件，少數載流子不會積聚，所以能夠實現極低... （來源：技術文章頻道）
三菱電機 SiC芯片技術 2024-12-20 16:00
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。截至2024年，三菱電機已量產第二代平面柵SiC MOSFET芯片，并配套于各種模塊實現產品化。圖1顯示了第二代平... （來源：技術文章頻道）
三菱電機 SiC MOSFET SiC芯片技術 2024-12-10 15:00
柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化... （來源：技術文章頻道）
SiC 三菱電機 2024-11-28 11:04
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