隨著人工智能(AI) 與高性能計算(HPC) 的浪潮席卷全球,現代芯片的運算能力達到了前所未有的水準。然而,“性能越大,發熱量越高” 的鐵律,已成為電子產業持續發展中最棘手的挑戰。 過度的熱能使得系統不得不限制CPU 和GPU 的性能,以避免芯片老化。現在,一項來自斯坦福大學的突破性... (來源:技術文章頻道)
計算芯片散熱 2025-10-23 09:19
由于人工智能、物聯網等新興技術推動芯片制程向更先進節點演進,半導體制造企業為滿足技術迭代需求,加大設備投入,市場在技術驅動下的長期增長韌性凸顯。 圖:全球&中國半導體設備市場規模(2025、2026年中國市場規模按34%占比計算) (數據來源:SEMI) 從全球半導體設備市場整體態... (來源:技術文章頻道)
半導體設備 2025-10-20 09:18
2024年,全球智能手機市場在連續兩年下行后觸底反彈,全年出貨量同比增長7%,達到12.2億部。本輪市場回暖主要得益于中國國內政策支持與廠商技術深耕的雙重推動:政府通過對高端制造與半導體產業的定向補貼,有效激發了企業的研發投入,小米、vivo等頭部廠商的研發支出同比增幅普遍超過20%。 與此同時... (來源:技術文章頻道)
射頻前端智能手機 2025-10-10 09:23
在當前的AI浪潮下,新建一座晶圓廠到底需要多少錢? 今年3月,全球半導體代工巨頭臺積電(TSMC)宣布,將追加1,000億美元投資美國市場,用于在亞利桑那州鳳凰城新建三座先進制程晶圓廠、兩座先進封裝廠及一座研發中心,形成從制造到封測的完整鏈條,加上已在當地投資650億美元建設兩座晶圓廠使其在美... (來源:技術文章頻道)
AI 晶圓廠 2025-9-1 11:54
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表,因其高導熱、高擊穿電壓和高開關頻率等優異特性,被視為提升新能源汽車性能、降低能耗的關鍵技術,但高昂的成本卻一直制約著SiC大規模普及,如何讓SiC從高端旗艦下放至主流車型、主流光儲逆變器,成為行業共同命題。 近日,小鵬汽車與芯聯集成聯合宣布國內... (來源:技術文章頻道)
碳化硅新能源汽車 2025-8-27 13:16
作者:Rambus研究員與杰出發明家Steven Woo AI領域始終在不斷演進,我們正見證一場從“生成式AI”時代到“代理式AI”時代的深刻變革。這場變革有望重塑各行各業,并釋放前所未有的發展機遇。與此同時,這也需要我們提供更具創新性的技術解決方案,從而精準滿足這些新興工作... (來源:技術文章頻道)
AI半導體 2025-8-19 13:39
三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等,是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一,其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題,支撐了摩爾定律的延續。2011年,英特爾成功量產采用FinFET的處理器;2022年,三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司;2025年,... (來源:技術文章頻道)
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
技術背景與優勢 鍺擁有高折射率特性,當光線從一種介質進入鍺材料時,會發生較大角度的偏折,這一特性使得鍺在操控光線方面具有強大的能力,能夠精準地改變光線的傳播路徑,為光學器件的設計和應用提供了豐富的可能性。 GeOI(Germanium on insulator, 絕緣體上鍺)襯底技術作為新一代半導體材料... (來源:技術文章頻道)
青禾晶元鍵合技術 2025-7-29 13:05
隨著數字化的發展,嵌入式系統已成為支撐智能設備運轉的核心。從可穿戴設備的實時健康監測到自動駕駛汽車的環境感知,從工業機器人的精密控制到 5G 基站的高速數據處理,這些場景對內存的性能、功耗和成本提出了日益嚴苛的要求。傳統存儲技術逐漸顯露出短板:靜態隨機存取存儲器(SRAM)雖能提供高速訪... (來源:技術文章頻道)
嵌入式內存 2025-7-11 09:22
摘要: 以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜,容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜,開口較大,有利于膜層沉積和銅電鍍填充,可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實... (來源:技術文章頻道)
刻蝕工藝TSV 2025-6-25 09:24