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安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。 Cascode簡介 碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的... （來源：技術(shù)文章頻道）
SiC 2025-6-13 10:28
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電 荷存儲效應(yīng)；另外MOSFET沒有二... （來源：技術(shù)文章頻道）
MOSFET 2025-4-28 09:38
在 AI 算力爆發(fā)的時代，數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷著前所未有的電力考驗。當(dāng)單臺 AI 服務(wù)器功率突破 10kW，GPU 瞬時負載波動超過 200A 時，電源保護方案也要隨之升級。電子保險絲（eFuse）作為新一代保護器件，正憑借智能化、集成化優(yōu)勢，成為服務(wù)器電源的 “智能保鏢”。日前，德州儀器系統(tǒng)經(jīng)理游聲揚結(jié)... （來源：技術(shù)文章頻道）
數(shù)據(jù)中心電源eFuse 2025-4-16 11:14
本文作者：Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨特功能和設(shè)計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。 Cascode簡介 碳化硅結(jié)型場效... （來源：技術(shù)文章頻道）
SiC碳化硅共源共柵 2025-3-28 14:10
TVS（Transient Voltage Suppression）瞬態(tài)電壓抑制二極管是一種用于保護電子電路免受瞬態(tài)電壓（如雷擊、靜電放電等）干擾的器件。它能夠在電壓瞬間超出正常工作范圍時，迅速將過高的電壓吸收并消耗掉，從而保護電路中的其他敏感元件不受損壞。 一、TVS二極管的工作原理 TVS二極管的基本原理是當(dāng)... （來源：技術(shù)文章頻道）
TVS瞬態(tài)電壓抑制二極管 2025-3-18 11:05
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。 1. 正向特性 圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在... （來源：技術(shù)文章頻道）
SiC MOSFET 三菱電機 2025-3-17 11:00
二極管的反向恢復(fù)時間（Reverse Recovery Time, trr）是描述二極管在從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時，其電流響應(yīng)速度的一個重要參數(shù)。這個時間與二極管在電流變化過程中存儲的電荷釋放過程有關(guān)。下面我們詳細解讀這一概念。 1. 反向恢復(fù)時間的定義 反向恢復(fù)時間是指，當(dāng)二極管的正向電流從... （來源：技術(shù)文章頻道）
二極管 2025-3-10 10:00
二極管反向恢復(fù)機理（Reverse Recovery Mechanism）是指當(dāng)一個二極管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時，二極管內(nèi)存儲的少數(shù)載流子（如電子和空穴）會導(dǎo)致反向電流的產(chǎn)生，直到這些載流子被完全移除。這個過程稱為反向恢復(fù)時間（reverse recovery time, trr）。 反向恢復(fù)機理的詳細過程： ... （來源：技術(shù)文章頻道）
二極管反向恢復(fù)機理 2025-2-24 10:15
PN連接二極管由p區(qū)域和N區(qū)組成，該區(qū)域由耗盡區(qū)域分離，該區(qū)域存儲了電荷。上一個教程中描述的效果是實現(xiàn)的，而沒有將任何外部電壓應(yīng)用于實際的PN連接，從而導(dǎo)致連接處處于平衡狀態(tài)。但是，如果我們要在N型和P型材料的末端進行電氣連接，然后將它們連接到電池源，則現(xiàn)在存在一個額外的能源來克服潛在的... （來源：技術(shù)文章頻道）
PN連接二極管 2025-2-21 11:12
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開連接開關(guān)時，需要考慮一些基本的設(shè)計決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù)，設(shè)備類型，熱包裝，設(shè)備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選... （來源：技術(shù)文章頻道）
高壓SIC電池斷開開關(guān) 2025-2-13 11:00
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