摘要隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結... （來源：技術文章頻道）
DRAM器件 寄生電容 泛林集團 2024-11-14 10:50
作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門 SEMulator3D®應用工程總監Benjamin Vincent動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不... （來源：技術文章頻道）
3D DRAM泛林集團存取存儲器 2023-8-4 11:30
作者：泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理Aaron Fellis提升集成電路中的介電層性能可以在現在和未來的存儲器和邏輯電路發展中產生巨大的戰略影響。想象一下，在一個擠滿人的大房間里，每個人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂意告訴您他們的信息，但問題是，他們都在同一時間說話。房... （來源：技術文章頻道）
沉積技術SPARC電薄膜串擾 2023-7-28 16:10
作者：泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理 Aaron Fellis隨著電子設備精密化，人們愈發要求半導體技術能以更低的成本實現更優的性能和更大的容量。這些趨勢推動了半導體技術的重大進步，在過去十年中2D NAND逐漸過渡到3D NAND。邏輯領域的3D過渡也已經開始，FinFET（鰭式場效應晶體管）技術... （來源：技術文章頻道）
3D NAND GAA晶體管 存儲器 (DRAM) 2023-6-2 13:30
MCU 中內部存儲器的數量取決于存儲器的分類方式。主要有兩種存儲器：隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）。但是，根據內存性能不同，RAM 和 ROM 有不同的類型。這些不同類型的存儲器可用于各種功能，例如高速緩存、主存儲器、程序存儲器等。另一方面，存在內存的虛擬與物理定義的問題。RAM 的兩種... （來源：技術文章頻道）
MCU 存儲器 2022-10-27 17:02
半導體存儲器的發展背景世界上最早的全電子化存儲器是1947年在曼徹斯特大學誕生的威廉姆斯-基爾伯恩管 (Williams-Kilburn tube)，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數據的“點”。從那時起，計算機內存開始使用磁存儲技術并經歷了數代演變，相關系統包括磁鼓存儲器、磁芯存儲器、磁帶驅動器和磁... （來源：技術文章頻道）
半導體存儲器 DRAM工藝 晶圓制造 2021-10-13 12:25
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