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三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
電池中的 “隱藏主角” 在鋰離子電池里，有一個起著關鍵作用卻常常被大眾忽視的部分，那就是負極主材。而在眾多可供選擇的材料中，石墨就像一位低調的王者，脫穎而出，成為了鋰離子電池負極主材的首選 。你或許會感到疑惑，石墨究竟有什么樣的獨特魅力，能在眾多材料中獨占鰲頭？它的存在... （來源：技術文章頻道）
鋰電池 2025-7-18 09:45
在半導體工藝演進到2nm，1nm甚至0.7nm等節點以后，晶體管結構該如何演進？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產業對其可制造心存疑慮，根據imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明，這家研究巨頭開發了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法，解決了制造難題... （來源：技術文章頻道）
晶體管 2025-6-19 16:12
作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質量保證總監 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。 從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。 第三代寬禁帶（WBG）解... （來源：技術文章頻道）
碳化硅 2025-5-16 11:03
吞吐量仍然是一個問題，解決方案需要多種技術的結合。 事實證明，電子束檢測對于發現 5 納米以下尺寸的關鍵缺陷至關重要。現在的挑戰是如何加快這一流程，使其在經濟上符合晶圓廠的接受度。 電子束檢測因靈敏度和吞吐量之間的權衡而臭名昭著，這使得在這些先進節點上利用電子束進行全面缺陷覆蓋尤... （來源：技術文章頻道）
電子束 2025-5-14 09:49
本文作者：Catherine De Keukeleire，安森美（onsemi）寬禁帶可靠性與質量保證總監從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶（WBG）解決... （來源：技術文章頻道）
碳化硅 安森美 SiC 2024-12-4 14:03
—— 賀利氏電子材料有限公司 羅金濤1. 引言電力電子技術的發展，對功率模塊在提高功率密度、降低損耗、擴展工作溫度范圍及提高使用壽命和可靠性方面提出更高要求。功率模塊中與散熱器之間的連接，直接決定了模塊的散熱效率和長期穩定性。傳統錫鉛焊料或無鉛焊料，由于其熔點低、導熱性差。... （來源：技術文章頻道）
電力電子技術功率模塊系統 2024-11-28 11:07
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來新出現的晶圓制備方法。將通過升華法制備的SiC單晶從坩堝中取出，經過多個加工工藝制成晶圓。圖1展示了晶圓制造的大致工藝流程。SiC單晶（也稱為... （來源：技術文章頻道）
SiC單晶 晶圓制造三菱電機 2024-10-21 10:29
選擇適合您工廠需求的排程解決方案作者：應用材料公司自動化解決方案專家團隊可以使用各種方法和技術為生產車間創建計劃。這些方法和技術包括：使用簡單的先進先出 (FIFO) 或以交貨日期排序 (DDO) 規則,考慮當前在制品 (WIP) 和/或未來在制品 (WIP) 以及簡單/... （來源：技術文章頻道）
半導體工廠 應用材料公司 2024-9-26 10:11
針對傳統工業運營進行數字化革命正在成為市場的焦點。在Computex 2024上，NVIDIA CEO黃仁勛主題演講重點之一，就是介紹了NVIDIA如何幫助客戶利用AI助力工廠數字化。據悉，全球約有1000萬家以上的工廠，總價值46萬億美元，因此工業數字化對于制造業創新而言是極其重要的。隨著大數據及機器學習技術的發展... （來源：技術文章頻道）
傳感器連接技術 2024-8-28 10:50
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