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三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進展，交通領域的電氣化進程也在加速推進。這些新興技術大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統功率更是輕松突破240kW。氫燃料電... （來源：技術文章頻道）
碳化硅技術電源可再生能源MOSFET 2025-4-2 09:50
在汽車、工業和綠色能源領域的許多系統中，保護系統免受電壓浪涌和噪聲的影響至關重要。作者：Joachim Hausmann，東芝電子歐洲有限公司電子系統設計中存在兩種不同的趨勢，二者均支持電機的電子系統。一方面是向千伏級別發展的發電和電氣分配子系統。另一方面是高速MCU，能夠實現先進算法以優化系統性能... （來源：技術文章頻道）
電磁隔離技術 東芝電子 DCL54x01 MCU 2024-7-8 15:09
在汽車、工業和逆變器應用中，對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領域，通過提高電機驅動效率和加快電池充電速度，此類優化對于擴展性能和延長續航里程至關重要。對于工業而言，提高效率是減少全球能源消耗和增強可持續性的必需條，因此當前重點是直流微電網技術的效率... （來源：技術文章頻道）
電源開關 電源 SiC GaN IGBT MOSFET 2024-5-10 15:05
2023年9月19日，致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半導體（ST）VIPERGAN65芯片以及SRK1001和STUSB476QTR芯片的65W PD快充方案。 圖示1-大聯大友尚基于ST產品的65W PD快充方案的展示板圖 在5G、物聯網技術的不斷推進下，越來越多的移動電子設... （來源：技術文章頻道）
大聯大友尚集團ST65W PD快充方案 2023-9-19 14:52
問：PNP和NPN傳感器的3線接線大多數工業接近傳感器（包括電感式、電容式、超聲波和光電式）都是固態的。所謂“固態”是指傳感器內使用的部件類型——晶體管等固態電子元件被用來在檢測到物體時切換傳感器的輸出。有兩種特定類型的三線傳感器可用可供使用，即PNP型和NPN型，它們之間的差異來自于內部電路... （來源：技術文章頻道）
工業傳感器PNPNPN 2022-12-1 14:16
在過去的 75 年里，晶體管技術最明顯的變化就是我們能制造多少。正如這些圖表所示，減小設備的尺寸是一項巨大的努力，而且非常成功。但尺寸并不是工程師一直在改進的唯一特征。 1947年，只有一個晶體管。根據 TechInsight 的預測，半導體行業今年有望生產近 20 億萬億 (1021) 臺設備。這比 2017 年之... （來源：技術文章頻道）
晶體管技術 2022-11-30 14:20
作者：權彥五，SK海力士PI技術開發擔當 由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKM... （來源：技術文章頻道）
SK海力士 DRAM 2022-11-14 14:18
在本章，我們將介紹設計氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 以及其他 GaN 應用的一些技術，并描述 GaN 在許多射頻 (RF) 前端中的應用。我們還將探討技術領導者如何在分立式、單芯片微波集成電路 (MMIC) 以及高度集成模塊中使用 GaN 技術，以滿足許多應用領域需求。我們還將說明 GaN 熱建模在應用中的一些重要... （來源：技術文章頻道）
GaN 技術 射頻前端 GaN PA 2022-5-7 10:07
作者：安森美半導體隨著人們對汽車的操控性及舒適性需求不斷升高，汽車車身中的電子設備越來越多，如電動后視鏡、中控門鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級功能等。圖1：典型車身控制模塊（BCM）的系統架構。電源要求及方案選擇典型車身控制模塊（BCM）設計重要的一步是確定電源要求，以及選擇合適... （來源：技術文章頻道）
車身控制模塊開關穩壓器 2022-2-14 10:27
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