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三維晶體管結(jié)構(gòu)包括FinFET和GAA FET等，是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)中的關(guān)鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統(tǒng)平面晶體管在納米尺度下的物理極限問(wèn)題，支撐了摩爾定律的延續(xù)。2011年，英特爾成功量產(chǎn)采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產(chǎn)采用GAA結(jié)構(gòu)的邏輯半導(dǎo)體的公司；2025年，... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
據(jù)Tom’s hardware 的報(bào)導(dǎo)，日本新創(chuàng)晶圓代工廠商Rapidus 已經(jīng)啟動(dòng)了2nm制程晶圓的測(cè)試生產(chǎn)，并計(jì)劃推動(dòng)其IIM-1 廠區(qū)的2nm制程在2027年量產(chǎn)。 報(bào)道稱，Rapidus的IIM-1 廠區(qū)已經(jīng)展開對(duì)采用2nm環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)的測(cè)試晶圓進(jìn)行原型制作。Rapidus公司確認(rèn)，早期測(cè)試晶圓已達(dá)到預(yù)期的電... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
Rapidus2nm 2025-7-21 10:44
5月15日，2025臺(tái)積電技術(shù)論壇臺(tái)北場(chǎng)正式開幕，臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)及全球業(yè)務(wù)的資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示，臺(tái)積電即將量產(chǎn)的 2nm制程客戶采用度非常高，第一年的是3nm和5nm第一年的兩倍，第二年預(yù)計(jì)更是會(huì)達(dá)到四倍。 張曉強(qiáng)表示，半導(dǎo)體業(yè)正經(jīng)歷非常重要的戰(zhàn)略變革。以他業(yè)界30年經(jīng)驗(yàn)來(lái)說(shuō)，仍... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
臺(tái)積電2nm 2025-5-16 14:14
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將在德國(guó)紐倫堡舉行的歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展（PCIM Europe 2025）上展示最新的半導(dǎo)體、軟件及工具解決方案，這些解決方案有助于解決當(dāng)前的環(huán)保與數(shù)字化轉(zhuǎn)型挑戰(zhàn)。公司將在7號(hào)展廳470號(hào)展臺(tái)展示豐富的功率器件產(chǎn)品組合中的重點(diǎn)產(chǎn)品，涵蓋硅（... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
英飛凌低碳化 2025-4-30 09:06
韓媒 SE Daily 援引業(yè)界消息報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已制定了在第 7 代 10nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存工藝 1d nm 后即導(dǎo)入 VCT 垂直通道晶體管技術(shù)的路線圖，相關(guān)產(chǎn)品有望最早于 2~3 年內(nèi)面世。 據(jù)悉三星電子在 1d nm 后的下代 DRAM 工藝上曾考慮過(guò) 1e nm 和 VCT DRAM 兩種選擇，最終選擇了有望“改變游戲規(guī)則... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
三星電子DRAM 2025-4-29 09:18
為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對(duì)電源提出了更高的要求，尤其是對(duì)大功率的需求。例如，電動(dòng)汽車（EV）的電池包電壓已高達(dá)900 VDC以上，容量可達(dá)95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
碳化硅技術(shù)電源可再生能源MOSFET 2025-4-2 09:50
由于市場(chǎng)對(duì)于音頻設(shè)備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來(lái)越高，領(lǐng)先的音頻設(shè)備制造商在不斷提高音質(zhì)的同時(shí)，也在努力滿足這一需求。另外，他們還必須實(shí)現(xiàn)無(wú)縫連接、保證成本效益，并提供對(duì)用戶友好的功能，這使得音頻產(chǎn)品的開發(fā)變得更加復(fù)雜。為了解決這些難題，SounDigital在其全新1500 W D類放大... （來(lái)源：新品頻道）
英飛凌CoolGaN 功率晶體管SounDigital放大器 2025-3-3 17:18
從服務(wù)器到個(gè)人電腦，再到帶獨(dú)立緩存的固態(tài)硬盤，高效的易失性存儲(chǔ)DRAM內(nèi)存都是不可或缺的重要加速方案之一。鎧俠在近日宣布，已開發(fā)出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導(dǎo)體晶體管 DRAM）技術(shù)，這是一種新型4F² DRAM，由兼具高導(dǎo)通電流和超低漏電流的... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
鎧俠 DRAM OCTRAM 2024-12-30 10:00
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進(jìn)的無(wú)線功率解決方案，為各... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
英飛凌 AWL－Electricity 氮化鎵功率半導(dǎo)體 無(wú)線功率 2024-10-21 15:15
這是一張定格歷史的照片，英特爾106名員工在當(dāng)時(shí)的山景城工廠外的合影，攝于1969年。站在最前排的兩位，是英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾，諾伊斯直視鏡頭，摩爾眺望遠(yuǎn)方。日后帶領(lǐng)英特爾登頂全球最大半導(dǎo)體公司的安迪·格魯夫在第二排最右邊，雙手插兜。這三位風(fēng)云人物個(gè)性迥異，諾伊斯是魅... （來(lái)源：新聞?lì)l道）
英特爾AI時(shí)代 2024-7-19 12:58
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