摘要：使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實現電阻的大幅降低封面圖：正文：作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是... （來源：技術文章頻道）
半導體金屬線電阻沉積和刻蝕技術 2024-8-15 15:49
作者：泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理 Aaron Fellis隨著電子設備精密化，人們愈發要求半導體技術能以更低的成本實現更優的性能和更大的容量。這些趨勢推動了半導體技術的重大進步，在過去十年中2D NAND逐漸過渡到3D NAND。邏輯領域的3D過渡也已經開始，FinFET（鰭式場效應晶體管）技術... （來源：技術文章頻道）
3D NAND GAA晶體管 存儲器 (DRAM) 2023-6-2 13:30
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