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設(shè)計技術(shù)
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應(yīng)用開發(fā)
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搜索到16條【碳化硅芯片】相關(guān)的技術(shù)文章。

SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

基于多個高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。然而，功率... （來源：技術(shù)文章頻道）

意法半導(dǎo)體 SiC MOSFET 并聯(lián) 2025-6-20 10:30

碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比

碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比

為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動汽車（EV）的電池包電壓已高達(dá)900 VDC以上，容量可達(dá)95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電... （來源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅技術(shù)電源可再生能源MOSFET 2025-4-2 09:50

賀利氏燒結(jié)銀在功率模塊中的應(yīng)用

賀利氏燒結(jié)銀在功率模塊中的應(yīng)用

引言：功率模塊是現(xiàn)代工業(yè)和技術(shù)領(lǐng)域不可或缺的組件，它們負(fù)責(zé)高效、可靠地進(jìn)行電能的轉(zhuǎn)換和控制。這些模塊直接影響到一個系統(tǒng)的性能、效率和耐用性，是各類電子設(shè)備和系統(tǒng)中關(guān)鍵的技術(shù)基礎(chǔ)。在現(xiàn)代工業(yè)和技術(shù)領(lǐng)域中，功率模塊主要應(yīng)用在以下幾個場景：可再生能源：在太陽能和風(fēng)能等可再生能源... （來源：技術(shù)文章頻道）

賀利氏功率模塊 2025-1-9 10:55

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

作者：陳子穎，英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體前言功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方... （來源：技術(shù)文章頻道）

功率器件熱阻熱設(shè)計 2024-10-31 10:05

IGBT還是SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)

IGBT還是SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)

作者：Devin XU，本文轉(zhuǎn)載自：英飛凌汽車電子生態(tài)圈近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶?。?dāng)前新能源汽車牽引逆變器的功率半導(dǎo)體... （來源：技術(shù)文章頻道）

IGBT SiC 混合功率器件新能源汽車 2024-10-22 10:20

電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

摘要：本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取... （來源：技術(shù)文章頻道）

電驅(qū)逆變器碳化硅電動汽車 2024-8-2 14:05

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高... （來源：技術(shù)文章頻道）

SiC MOS碳化硅MOSFET世輝基本半導(dǎo)體 2024-6-19 11:31

電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

作者✦ Michele Aparo, Power Transistors sub Group, Application lab, STMicroelectronics, Catania, Italy michele.aparo01@st.com✦ Vittorio Giuffrida, Power Transistors sub Group , Application lab, STMicroelectronics, Catania, Italy, vittorio-mo... （來源：技術(shù)文章頻道）

電驅(qū)逆變器 SiC 電動汽車碳化硅 2024-6-13 10:33

一文為您揭秘碳化硅芯片的設(shè)計和制造

一文為您揭秘碳化硅芯片的設(shè)計和制造

本文作者：安森美汽車主驅(qū)功率模塊產(chǎn)品線經(jīng)理Bryan Lu眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章將為您介... （來源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅柵極電安森美 2023-4-4 17:02

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

引言功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢主導(dǎo)了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當(dāng)下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體以其優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)特性使得功率半導(dǎo)體器件... （來源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2023-1-9 17:02

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