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基于 SiC 器件的電機驅動 工業電機驅動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業驅動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調）以及伺服驅動器。據估計，這些通常由交流電源驅動的電動機占工業用電量的 70-80%。因此，人們有強烈的動機來提高這些驅動器的效率。即使該參數的微小改進也能在節省能源和成本方面產生... （來源：技術文章頻道）
SiC 三相電機驅動開發 2025-1-20 10:58
作者：Jeff Shepard，文章來源：DigiKey得捷本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 SiC 的封裝和系統集成選項，并展示了設計人員該如何最好地應用它們來優化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅動器性... （來源：技術文章頻道）
SiC 柵極驅動器 能源基礎設施 2024-8-14 10:52
在更小、更簡單的系統中顯著降低損耗并提高效率作者：黃贊數據中心是數字世界的支柱，其中大量的服務器為互聯網、云計算和其他數據驅動型服務賦能。隨著對上述服務的需求增長，所消耗的能源體量也隨之增加。在美國，2020 年數據中心消耗了約 90 太瓦時 (億千瓦時，TWh) 的電力，約占美國總電力消耗的 1... （來源：技術文章頻道）
數據中心 SiC Wolfspeed 2024-3-26 10:40
交流充電樁適合在家中或工作場所為電動汽車充電，因為目前車載充電器的額定功率通常達到11千瓦，充滿電需要8~10小時。然而，對于假期等長途旅行，消費者希望在休息期間充電更快。直流電動汽車充電樁具有交流轉直流、隔離直流轉直流的特點，比交流充電樁具有更高的額定功率。使用分立器件的直流電動汽車... （來源：技術文章頻道）
電動汽車 PFC SiC 器件 2024-1-4 09:30
合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。 圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進行平衡... （來源：技術文章頻道）
雙運放電流源SiC MOSFET 2023-12-28 10:45
CoolSiC™ 碳化硅MOSFET集高性能、堅固性和易用性于一身。由于開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但盡管如此，設計者需要了解器件的靜態和動態性能以及影響它們的關鍵參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關于這方面的見解。溫度對CoolSiC™ ... （來源：技術文章頻道）
SiC MOSFET CoolSiC 2023-10-26 10:43
“引言”近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級應用工程師Jorge Cer... （來源：技術文章頻道）
增強互連封裝技術 1200 V SiC MOSFET單管設計 2023-6-6 16:31
電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到2 kW，到高端電動汽車中的22 kW不等。傳統上，充電功率是單向的，但近年來，雙向充電越來越受到關注。本文將重點關注雙向OBC，并討論碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC中... （來源：技術文章頻道）
碳化硅 車載充電機 2023-5-25 11:05
碳化硅 車載充電機 2023-2-20 17:02
在 PCT 期間，當 DUT 開啟時，由于電流從漏極流向源極，DUT 溫度會升高（圖 1a）。當 DUT 關閉時，通過從源極到漏極的感測電流測量體二極管壓降。通過應用圖 1b 中所示的 V SD -T 校準曲線，可以在知道體二極管壓降的情況下估算結溫 T J 。(a) PCT 程序 - (b) VSD-T 校準曲線。 圖 1：(a) PCT 程序 –... （來源：技術文章頻道）
二極管測試二極管壓降 2022-12-12 09:51
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