三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等,是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一,其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題,支撐了摩爾定律的延續。2011年,英特爾成功量產采用FinFET的處理器;2022年,三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司;2025年,... (來源:技術文章頻道)
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
引言 數字集成電路設計中,單元庫和IP庫宛如一塊塊精心打磨的“積木”,是數字IC設計的重要基礎。從標準單元庫(Standard Cell)、輸入輸出接口(I/O Interface)、存儲器單元(如 SRAM、ROM等),到大量數模混合 IP(如物理層接口 PHY、鎖相環 PLL 等)——這些模塊經過&ldquo... (來源:技術文章頻道)
Liberal數字IC全棧式K庫 2025-7-4 13:13
在半導體工藝演進到2nm,1nm甚至0.7nm等節點以后,晶體管結構該如何演進?2017年,imec推出了叉片晶體管(forksheet),作為環柵(GAA)晶體管的自然延伸。不過,產業對其可制造心存疑慮,根據imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明,這家研究巨頭開發了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法,解決了制造難題... (來源:技術文章頻道)
晶體管 2025-6-19 16:12
摘要:使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝,實現電阻的大幅降低封面圖:正文:作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定,并隨尺寸縮小而顯著提升。通常,銅線的制作流程是... (來源:技術文章頻道)
半導體金屬線電阻沉積和刻蝕技術 2024-8-15 15:49
作者:Huanyu Gu 現在,OEM和一級供應商可以更輕松地獲取價格合理且性能可靠的成像雷達傳感器技術。恩智浦和賽恩領動聯合開發的入門級量產4D成像雷達為這項技術提供了有力證明。雷達在現代汽車的功能安全中至關重要。近年來,汽車雷達市場一直需要平衡性能和成本的入門級汽車成像雷達解決方案。全球... (來源:技術文章頻道)
4D成像雷達雷達傳感器技術 2024-3-20 14:25
作者:半導體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現具有挑戰性的制造工藝,需要進行工藝調整。為應對這些挑戰,我們嘗試... (來源:技術文章頻道)
半大馬士革工藝流程 后段器件集成 2023-10-20 11:27
數據中心加速解決方案中國信通院《數據中心白皮書2022》報告顯示,2021年全球數據中心市場規模超過679億美元,較2020年增長9.8%。隨著數據視頻化趨勢加強,以及遠程辦公普及程度提高,數據中心市場呈現出穩健增長的趨勢。但這也帶來聯網數據的爆炸式增長,對數據中心的數據處理能力提出巨大挑戰。各種加... (來源:技術文章頻道)
FPGA數據中心 2022-12-29 10:48
過去3年來,盡管客戶十分認可萊迪思 (Lattice) Nexus FPGA平臺在低功耗領域做出的種種創新,但在與他們的交流過程中,我們發現除功耗外,性能和尺寸也日益成為客戶關注的關鍵要素。幸運的是,這些與萊迪思最擅長的領域完全吻合。于是,基于Nexus平臺取得的一系列創新成果,萊迪思推出了全新低功耗中端A... (來源:技術文章頻道)
Avant FPGA 萊迪思 2022-12-28 16:07
自2019年6月5G商用牌照發布以來,中國5G建設已經取得舉世矚目的成就。中國工信部數據顯示,截至2022年6月底,中國5G基站已部署185.4萬個,5G用戶數超過4.5億,中國已建成全球規模最大的5G網絡,已開通5G基站占全球5G基站總數的60%以上,登錄5G網絡的用戶占全球5G登網用戶的70%以上。目前,中國5G網絡已... (來源:技術文章頻道)
小基站元器件 5G網絡 2022-10-26 09:51
自2019年6月5G商用牌照發布以來,中國5G建設已經取得舉世矚目的成就。中國工信部數字顯示,截至2022年6月底,中國5G基站已部署185.4萬個,5G用戶數超過4.5億,中國已建成全球規模最大的5G網絡,已開通5G基站占全球5G基站總數的60%以上,登錄5G網絡的用戶占全球5G登網用戶的70%以上。目前,中國5G網絡已... (來源:技術文章頻道)
小基站元器件 無線基站 2022-10-21 16:05