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三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等,是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一,其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題,支撐了摩爾定律的延續。2011年,英特爾成功量產采用FinFET的處理器;2022年,三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司;2025年,... (來源:技術文章頻道)
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
芯片制造工藝是一個極其復雜且高度精密的過程,主要包括以下關鍵步驟:1.硅片制備:芯片制造通常以硅片作為基礎材料。首先,將高純度的硅原料通過一系列的熔煉、拉晶等工藝,制成單晶硅錠。然后,將硅錠切割成薄片,經過研磨、拋光等處理,得到表面光滑、厚度均勻的硅片,為后續的芯片制造提供平整的基... (來源:技術文章頻道)
芯片制造工藝 芯片制造 2025-3-14 10:17
隨著自動駕駛技術的快速發展,車輛之間的協同通信變得越來越重要。車聯網(V2X)技術作為一種新型的車輛通信技術,通過車車(V2V)和車路協同(V2I)等方式,實現了車輛與車輛、車輛與基礎設施之間的信息交換,有效提升了道路交通安全性和效率。在 V2X 技術中,基于蜂窩網絡的車聯網(Cellular-V2X,簡... (來源:技術文章頻道)
V2X 技術自動駕駛 2024-11-13 16:40
與泛林一同探索先進節點上線邊緣粗糙度控制的重要性 作者:Coventor(泛林集團旗下公司)半導體工藝與整合團隊成員Yu De Chen介紹由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸(CD)和線間隔,這會導致更高的金屬線... (來源:技術文章頻道)
線邊緣粗糙度(LER)先進節點芯片 2023-6-12 14:49
繪制精細電路的第一步金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小,單個 MOSFET的耗電量就越少,還可以制造出更多的晶體管,讓其發揮作用,可謂是一舉多得。可見,制造更小的MOSFET成了關鍵因素,并且想制成微細的電路,第一步... (來源:技術文章頻道)
半導體 光刻 2023-1-12 15:24
作者:Sean O’ Connell工業4.0或智能工業被譽為一場新的工業革命,其中現有系統聯網在一起以創建網絡物理系統。第一次工業革命是不同技術的融合,使工程師能夠推動從手工制品到蒸汽驅動的大規模制造的轉變。今天,它是不同技術的融合,包括傳感、通信和大數據處理,這些技術被視為工業4.0的基石。通過... (來源:技術文章頻道)
工業4.0無線通信 2022-12-26 10:37
圖源:H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經濟極限,降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術和晶圓廠制造規程緊密相連。在代工行業,采用先進的工藝節點更能帶來明顯的成本競爭優勢。2020年... (來源:技術文章頻道)
GAA芯片技術CMOS工藝 2022-11-28 10:25
經過近十年和五個主要節點以及大量半節點之后,半導體制造業將開始從 finFET 過渡到 3nm 技術節點的全柵堆疊納米片晶體管架構。相對于 finFET,納米片晶體管通過在相同電路占位面積中增加溝道寬度來提供更多驅動電流。環柵設計改善了通道控制并最大限度地減少了短通道效應。 圖 1:在納米片晶體管中,... (來源:技術文章頻道)
納米片晶體管 3nm 技術節點 2022-11-3 10:28
自光刻技術技術出現,集成電路(Integrated circuit,IC)體積跟隨著摩爾定律不斷縮小,到踏入5 納米量產的今日,IC 可說足足縮小了百萬倍!這成果并非一蹴可幾,而是多年來半導體研發人員和工程師的心血累積。近日,在中央研究院2022年知識饗宴科普講座上,林本堅院士以「光刻技術縮IC 百萬倍」為題,... (來源:技術文章頻道)
集成電路(IC) 光刻技術 2022-9-26 10:37
作者:應用材料公司 Kevin Moraes從計算機行業的早期開始,芯片設計人員就對晶體管數量的需求永無止境。英特爾于1971年推出了具有2,300個晶體管的4004微處理器,激發了微處理器革命;到了今天,主流CPU已有數百億的晶體管。在過去多年的發展中,技術的變革在于——如何將更高的晶體管預算轉化為更好的芯... (來源:技術文章頻道)
摩爾定律 芯片布線 EUV光刻技術 2022-6-28 17:02
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