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三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
在半導體工藝演進到2nm，1nm甚至0.7nm等節點以后，晶體管結構該如何演進？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產業對其可制造心存疑慮，根據imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明，這家研究巨頭開發了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法，解決了制造難題... （來源：技術文章頻道）
晶體管 2025-6-19 16:12
本文作者：中國科學院微電子研究所研究員葉甜春、苑朋朋、清華大學朱煜、集成電路裝備創新聯盟張國銘、集成電路設計創新聯盟杜曉黎、集成電路零部件創新聯盟雷震霖 面向“十五五”，我國半導體裝備產業面臨技術封鎖與供應鏈脫鉤的雙重挑戰，需從“追趕替代”轉向“路徑創新... （來源：技術文章頻道）
半導體裝備 2025-6-13 13:22
Franz Dugand, 無線物聯網產品營銷高級總監, Ceva 任何個人音頻或家居自動化產品中，無線連接都是不可或缺的核心功能，通常通過多種協議來實現，比如藍牙、Zigbee、Thread 和 Matter。然而，它的挑戰在于，市場上競爭性產品需要實現非常緊密的集成，即通信系統必須與產品的其他功能一起嵌入到整體設... （來源：技術文章頻道）
物聯網連接交鑰匙嵌入式通信系統 2025-3-7 15:10
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）AR1335圖像傳感器和恩智浦（NXP）i.MX 8M Plus處理器的機器視覺方案。 圖示1-大聯大友尚基于onsemi和NXP產品的機器視覺方案的展示板圖 隨著城市化進程的加速推進和科技發展的日新月異，智慧城市... （來源：技術文章頻道）
大聯大友尚集團onsemi NXP產品 機器視覺方案 2024-11-20 10:09
在半導體制程技術的前沿，英特爾正穩步推進其“四年五個制程節點”計劃，加速實現在2025年推出尖端的制程節點Intel 18A。今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節點，也將用于Intel 18A。RibbonFET：柵極“... （來源：技術文章頻道）
晶體管 Intel－18A 英特爾 RibbonFET 2024-9-13 10:30
本文要點• 超大規模集成電路 (Very large scale integration，VLSI) 是一種主流的集成電路 (IC) 設計模式。• 芯片尺寸微型化有助于降低單個晶體管的功耗，但同時也提高了功率密度。• 先進封裝的低功耗設計趨勢勢頭未減，而更新的技術有助于在不犧牲計算性能的情況下降低器件的功耗。... （來源：技術文章頻道）
VLSI Cadence 集成電路 電源完整性 2024-9-6 10:52
摘要：使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實現電阻的大幅降低封面圖：正文：作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是... （來源：技術文章頻道）
半導體金屬線電阻沉積和刻蝕技術 2024-8-15 15:49
作者：Huanyu Gu 現在，OEM和一級供應商可以更輕松地獲取價格合理且性能可靠的成像雷達傳感器技術。恩智浦和賽恩領動聯合開發的入門級量產4D成像雷達為這項技術提供了有力證明。雷達在現代汽車的功能安全中至關重要。近年來，汽車雷達市場一直需要平衡性能和成本的入門級汽車成像雷達解決方案。全球... （來源：技術文章頻道）
4D成像雷達雷達傳感器技術 2024-3-20 14:25
無論是切換智能手機應用程序，還是享受沉浸式游戲體驗，都有可能遇到系統內存訪問速度慢的問題。如果汽車的自動制動系統不能及時響應前方道路上的障礙物，問題是很嚴重的。如今，智能、互聯和帶寬密集型應用依賴于超快、低延遲的內存訪問，以實現我們日常生活所依賴的一系列功能。那么，什么樣的技術能... （來源：技術文章頻道）
LPDDR5X 內存 新思科技 2023-12-20 10:28
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