根據Synergy Research Group的報告顯示,截至2024年底,超大規模運營商運營的數據中心數量達到1136個,較2019年第四季度的不到600個大幅增加,意味著全球超大規模數據中心數量在過去五年中幾乎翻了一番。 此外,未來幾年規劃中的數據中心項目數量自2022年3月以來增長了60%,從314個增加到2025年3月的... (來源:技術文章頻道)
寬禁帶半導體數據中心電源 2025-4-18 14:05
在功率半導體領域,氮化鎵(GaN)因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”,這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶,但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢,在不同領域都實現如快充頭一樣的普及,一直是行業難題。 德州儀器(TI)日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x,滿足... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
作者:George Hempt文章概述 本文介紹了寬帶隙(GaN)技術在高壓LED照明中的應用,以及如何解決效率和功率密度挑戰。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分,展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列,該系列將高電壓智能... (來源:技術文章頻道)
LED照明 GaN GaN晶體管 2024-12-5 11:02
共源共柵和 E 模式 GaNFET 的演變和可靠性共源共柵 GaN 的結構如圖 1 (a) 所示,在共源共柵配置中結合了低壓常關硅 MOSFET 和高壓常開 GaN HEMT。該組合有效地產生了增強模式行為,并且該技術自 2010 年代初期以來已投入商業應用。與原生 GaN 解決方案相比,硅 MOSFET 的公共柵極閾值電壓為 4V,簡化了... (來源:技術文章頻道)
共源共柵 GaN GaNFET 2024-10-11 10:03
隨著技術的迅速發展,人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續地推動這一發展,太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網供電。同樣,為了實現更快的數據處理、大數據存儲以及人工智能 (AI),服務器的需求也在呈指數級增長。鑒于這些趨勢,設計人員面臨著一項重大挑戰:如何在持續提升設計效率的同時,... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵電子設計電機驅動 2024-4-1 10:02
引言隨著技術的迅速發展,人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續地推動這一發展,太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網供電。同樣,為了實現更快的數據處理、大數據存儲以及人工智能 (AI),服務器的需求也在呈指數級增長。鑒于這些趨勢,設計人員面臨著一項重大挑戰:如何在持續提升設計效... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵高壓電源設計 2024-3-21 15:03
近日,德州儀器推出了全新的100V氮化鎵——LMG2100和LMG3100系列產品,補充了公司在100V左右中壓市場的空白。借助新一代氮化鎵,以及熱增強雙面冷卻封裝技術,可簡化中壓應用的熱設計并實現大于1.5kW/in3的超高功率密度。德州儀器氮化鎵業務負責人楊斐博士詳細介紹了該產品以及氮化鎵在中壓市場的新動向... (來源:技術文章頻道)
德州儀器 氮化鎵 LMG2100 LMG3100系列 2024-3-12 15:05
本文作者:Jonathan Harper 和 Jason Yu節能標準和客戶需求正在推動更高效率和更小尺寸的電源解決方案,對標準ACDC電源進行功率因數校正 (PFC) 的要求日益普遍,通過減少諧波含量引起的電力線損耗,從而降低對交流電網基礎設施的壓力。而設計緊湊高效的 PFC 電源是一個復雜的開發挑戰。本文將討論3kW P... (來源:技術文章頻道)
SiC MOSFET 次級端穩壓LLC電源 2023-4-27 11:41
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業的熱門話題,因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能,使用 GaN... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵(GaN) 柵極驅動器 2022-9-15 11:25
事實證明,高壓 LED 照明可以有效地取代高強度放電 (HID) 照明等先前技術。隨著高壓 LED 照明得到采用,許多制造商爭相生產并在各種應用中進行實施。雖然這種技術在光的質量和功率密度方面有了很大的提高,但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外,早期應用的故障率遠高于預期。高壓 LED ... (來源:技術文章頻道)
寬帶隙技術 LED 照明 2022-8-23 11:30