Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強(qiáng)隔離高壓增強(qiáng)型GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器. CoolGaN™ 和同類(lèi) GaN開(kāi)關(guān)在”開(kāi)”態(tài)需要幾mA的連續(xù)柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開(kāi)關(guān)瞬態(tài),需要負(fù)的”關(guān)”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅(qū)動(dòng)器完全滿(mǎn)足這些要求,但是,它受到開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)的占空比依... (來(lái)源:解決方案頻道)
電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K 2022-5-10 14:20
Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強(qiáng)隔離的高壓增強(qiáng)模式GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器.CoolGaN™和相近GaN開(kāi)關(guān)在”開(kāi)態(tài)”時(shí)需要連續(xù)柵極電流幾個(gè)mA,而由于低閾值電壓和極快開(kāi)關(guān)瞬態(tài),還需要負(fù)”關(guān)態(tài)”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅(qū)動(dòng)器滿(mǎn)足這些要求,但是它依賴(lài)于開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)的占空比特性和缺少負(fù)柵極驅(qū)動(dòng).Infine... (來(lái)源:解決方案頻道)
工業(yè)控制GaN HEMT柵極驅(qū)動(dòng)器 Infineon 1EDF5673K 2021-1-13 12:55
Infineon公司的600 V CoolGaN高壓GaN開(kāi)關(guān)是單路絕緣柵驅(qū)動(dòng)器,是GaN EiceDRIVER™系列產(chǎn)品. CoolGaN™增強(qiáng)模式HEMT是Infineon公司的EiceDRIVER™ IC中1EDF5673K, 1EDF5673F 和1EDS5663H最好驅(qū)動(dòng)器.單路電流絕緣VIO=1500VDC,輸出脈沖寬度大于18ns,傳輸時(shí)延精度13ns,降低死區(qū)損壞多達(dá)50%,可... (來(lái)源:解決方案頻道)
電源管理 GaN開(kāi)關(guān) 絕緣柵驅(qū)動(dòng)器 2020-2-21 11:45