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快速共模信號測量在這種情況下，我們使用一個小型電池振蕩器（基于 LTC6907），它連接到 Mosfet 的漏極，從而提供測量所需的共模電壓變化。該振蕩器板具有 SMB 輸出，但我們將把電纜直接焊接到板上以進行此測試。差分測量是振蕩器的輸出，即 2V 電平信號，它與 Mosfet 的切換不同步。首先，我們使用與之... （來源：技術文章頻道）
共模隔離探頭共模信號測量浮動測量 2024-9-6 10:10
Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強隔離高壓增強型GaN HEMT柵極驅動器. CoolGaN™ 和同類 GaN開關在”開”態需要幾mA的連續柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開關瞬態,需要負的”關”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關動態的占空比依... （來源：解決方案頻道）
電源管理 柵極驅動器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K 2022-5-10 14:20
Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強隔離的高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動器.CoolGaN™和相近GaN開關在”開態”時需要連續柵極電流幾個mA,而由于低閾值電壓和極快開關瞬態,還需要負”關態”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器滿足這些要求,但是它依賴于開關動態的占空比特性和缺少負柵極驅動.Infine... （來源：解決方案頻道）
工業控制GaN HEMT柵極驅動器 Infineon 1EDF5673K 2021-1-13 12:55
作為電源行業值得信賴的測試專家，泰克為工程師在電源設計各個階段提供可靠的解決方案，使工程師堅定每一步設計，優化每個階段設計，從而加速新產品的上市周期。 對市場新推出的低功耗 IC 及功率器件特性無法準確把握?是否真正在自己的電源設計中發揮最大的作用，缺少一種簡單經濟的評價方法。對于電源... （來源：技術文章頻道）
功率器件二極管低功耗ic 2020-10-21 09:46
作者：泰克科技 對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準確把握？是否真正在自己的電源設計中發揮最大的作用，缺少一種簡單經濟的評價方法。對于電源產品設計，大功率開關管的選擇是非常關鍵也是非常困難的。 如何在系統調試之前對IGBT模塊特性進行測試，尤其基于橋式拓撲結構，在不同的負載條件... （來源：技術文章頻道）
功率器件大功率開關管IGBT 2020-3-17 09:19
對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準確把握？是否真正在自己的電源設計中發揮最大的作用，缺少一種簡單經濟的評價方法。對于電源產品設計，大功率開關管的選擇是非常關鍵也是非常困難的。 如何在系統調試之前對IGBT模塊特性進行測試，尤其基于橋式拓撲結構，在不同的負載條件測試IGBT及相應的... （來源：技術文章頻道）
功率器件IGBT模塊 2020-3-11 10:38
Infineon公司的600 V CoolGaN高壓GaN開關是單路絕緣柵驅動器,是GaN EiceDRIVER™系列產品. CoolGaN™增強模式HEMT是Infineon公司的EiceDRIVER™ IC中1EDF5673K, 1EDF5673F 和1EDS5663H最好驅動器.單路電流絕緣VIO=1500VDC,輸出脈沖寬度大于18ns,傳輸時延精度13ns,降低死區損壞多達50%,可... （來源：解決方案頻道）
電源管理 GaN開關 絕緣柵驅動器 2020-2-21 11:45
隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導體材料開始備受關注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。目前很多國家（也包括中國）都把發展第三代半導體材料及其相關器... （來源：新聞頻道）
大功率器件氮化鎵解決方案開關模式電源（SMPS） 2018-12-4 10:04
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![[原創]Infineon 1EDF5673K單路增強隔離高壓增強型GaN 柵極驅動方案](http://www.ht2010.com/uploads/solution/202205/sm_20220510142037.jpg)
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