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鐵電體的晶體具有自發極化強度，并且自發極化強度的方向可以隨外加電場的方向而重新取向。鐵電存儲器正是利用了鐵電體的這種特性。在鐵電材料中，晶體中心位置的原子有兩個穩定的狀態。在外加電場下，中心原子可以從原來的位置越過勢壘達到另一個位置。而存儲的狀態就由中心原子的位置來進行存儲... （來源：電子百科頻道）
鐵電體 2017-8-30 13:18
簡稱并口，也就是LPT接口，是采用并行通信協議的擴展接口。并口的數據傳輸率比串口快8倍，標準并口的數據傳輸率為1Mbps，一般用來連接打印機、掃描儀等。所以并口又被稱為打印口。 另外，串口和并口都能通過直接電纜連接的方式實現雙機互連，在此方式下數據只能低速傳輸。多年來PC的串口與并口的... （來源：電子百科頻道）
并行接口LPT接口通信協議 2017-2-16 10:17
Likharev等提出的結合納米技術和傳統CMOS工藝的CMOS／納米線／分子混合集成(CMOS／nanowire／molecular hybrid，CMOL)技術引起研究者們的廣泛關注，被認為是最有前途的CMOS替代技術之一。然而，當前的CMOL電路仍然面臨著諸多問題，最重要的就是連接兩層納米互連線的納米級小尺寸二極管的開... （來源：電子百科頻道）
CMOL電路納米技術存儲器 2016-10-13 13:55
針對基于傳統FPGA中SRAM架構的揮發性缺點，如果將SRAM變為非揮發性的SRAM，即可以擁有SRAM連續高速數據寫入的優點，又可以確保斷電后不丟失數據，保證數據的安全。目前已有關于采用NVSRAM編程的FPGA的報道，如基于鐵電存儲器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發存儲器等優點。... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術RRAM存儲單元鐵電存儲器 2016-10-13 13:54
作為新型非揮發性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當之外。RRAM必須利用高集成密度的優勢來降低成本，從而獲取市場份額。 一般認為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使... （來源：電子百科頻道）
存儲器 2016-10-12 13:52
電化學金屬化(electrochemical metallization)機制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構成。該類RRAM的電阻轉變現象... （來源：電子百科頻道）
電化學金屬化機制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
襯底調制效應義稱體效應或背柵效應。在前節的分析中，是將源極與襯底短接在一起，使VBS=0。當源極與襯底的電位不相等時，會對MOS管的性能產生影響。 在CMOS集成電路中，為使器件相互之間處于隔離狀態，襯底與各管的源漏區之間的PN結均應處于反偏。一般將NMOS管的P型襯底... （來源：電子百科頻道）
襯底調制效應背柵效應MOS管 2016-6-21 10:13
相比于有源結構單元，由于具有最小的單元面積4F2，無源交叉陣列結構被認為是存儲器最經濟的集成方式。在交叉陣列結構中，通過相互交叉的字線和位線構成的上下電極來實現存儲單元的選擇。無源交叉陣列結構的RRAM制備工藝簡單，能夠有效地提高器件良率，降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面... （來源：電子百科頻道）
無源陣列有源結構交叉陣列 2016-6-15 10:51
Strukov和Likharev提出了如圖所示的CMOL FPGA結構。底層由面積為A＝(2？FCMOS)2的CMOS基本電路單元構成。 由于L=2(?FCMOS)2／Fnano是兩個與同一根輸出納米線相連的CMOS單元的輸出接口引腳的最小距離，即如果輸出納米線的間距大于L，那么一根輸出納米線將不能保證只... （來源：電子百科頻道）
FPGA電路引腳 2016-6-15 10:50
標準邏輯器件是具有標準邏輯功能的通用SSI、MSI集成電路，例如11幾工藝的54／74系列和隨后發展起來的CMOS工藝的CD 4000系列中的各種基本邏輯門、觸發器、選擇器分配器、計數器、寄存器等。 標準邏輯器件的生產批量大、成本低。由于其功能完全確定，電路設計時可將... （來源：電子百科頻道）
2016-5-24 16:23
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