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大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。

Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應用而設計。這些IGBT具有優化的集電極-發射極飽和電壓（VCE(sat)）、強大的短路能力和更大的電流范圍。特別適用于PTC加熱器、放電電路和預充電系統等應用，這些應用的重點是更高的浪涌電流和低導通壓降，而不是高開關頻率。

在當前快速發展的消費電子市場中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種核心電子元器件，憑借其卓越的開關性能、低導通損耗和良好的熱管理能力，成為現代家電技術的重要組成部分。

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種常用于電力電子領域的功率半導體器件，在變頻器、電機驅動、電力變換等應用中有廣泛的應用。由于IGBT在工作時會承受較高的電流和電壓，短路保護對其工作安全至關重要。

大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載，并聯器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些，才能設計出可靠的系統。

制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。

功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車(EV)在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛(CAV)改造成由電力驅動。

功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史，從基礎研究、應用研究到批量商業化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機一直致力于開發和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發展史。

三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。

全新CIPOS Mini IM523智能功率模塊系列是適用于變速電機驅動應用的優化解決方案。它采用成熟的緊湊型雙列直插式傳遞模封裝，可實現更高能效。得益于RC-D2開關的特性以及其SOI柵極驅動器的高級功能，這些產品可以為IPM解決方案提供性能與結實耐用性兼顧的完美結合。

在汽車、工業和逆變器應用中，對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領域，通過提高電機驅動效率和加快電池充電速度，此類優化對于擴展性能和延長續航里程至關重要。對于工業而言，提高效率是減少全球能源消耗和增強可持續性的必需條，因此當前重點是直流微電網技術的效率效益。

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC−Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環路電感影響分析。

在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。

在當今的半導體市場，公司成功的兩個重要因素是產品質量和可靠性。而這兩者是相互關聯的，可靠性體現為在產品預期壽命內的長期質量表現。任何制造商要想維續經營，必須確保產品達到或超過基本的質量標準和可靠性標準。安森美(onsemi)作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環境下運行的產品，且這些產品達到了高品質和高可靠性。

對于半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗，開關損耗和短路性能來分別討論。

IGBT結合了MOSFET和雙極型晶體管的優點，具有低壓控制特性（MOSFET）和高電流驅動能力（雙極型晶體管）。它具有較低的開關損耗和較高的開關速度，適用于高頻應用。同時，由于使用絕緣柵極層隔離了柵極和其他部分，提高了絕緣性能和可靠性。