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日前，在KeyBanc投資者會議上，安森美CEO Hassane S. El-Khoury談論了關于碳化硅以及汽車市場的關鍵。 Hassane表示，汽車行業沒有發生增長，但卻發生著份額轉移，電動汽車正是這種技術錯位。中國電動汽車轉型走在了世界前列，雖然確實存在著一些份額轉移，但是這并不是一個零和游戲。芯片始終在增長... （來源：技術文章頻道）
安森美電動汽車AI服務器 2025-8-13 11:23
本期，為大家帶來的是《采用電源路徑電池充電器優化應用》，將解讀如何選擇電源路徑或非電源路徑電池充電器，以及這一決策對充電 IC 功能的關鍵影響。 引言 電池選項眾多且系統要求各異，要想設計最佳電池充電集成電路 (IC) 以最大限度延長電池壽命并實現最佳系統性能，可能充滿挑戰。... （來源：技術文章頻道）
德州儀器模擬設計電源電池充電器 2025-8-6 13:07
三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
在工業領域快速發展的當下，安森美憑借其在功率器件、無線連接芯片及智能功率模塊等方面的技術優勢，積極應對行業需求與挑戰。近日，中電網采訪了安森美電源方案事業部業務拓展 Sean Gao 和模擬與混合信號事業部業務拓展高級經理 Henry Yang，圍繞公司核心技術、產品應用及市場布局等方面展開深入討論。... （來源：新聞頻道）
功率器件無線連接工業自動化 2025-7-17 16:23
鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器或混合串式逆變器。 圖 1 是混合串式逆變器的方框圖。常... （來源：技術文章頻道）
TI GaN 逆變器 儲能系統 2025-7-11 14:01
100V 新品發布 全球領先的氮化鎵 (GaN) 供應商英諾賽科 (Innoscience) 宣布推出兩款基于 100V 雙冷卻 En-FCLGA 封裝的新產品：INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，可實現太陽能微型逆變器、儲能系統 (ESS)（直流輸入）和最大功率點跟蹤 (MPPT) 優化器的最高效率。 ... （來源：新品頻道）
氮化鎵英諾賽科INN100EA050DAD INN100EA070DAD 2025-6-25 14:28
在半導體工藝演進到2nm，1nm甚至0.7nm等節點以后，晶體管結構該如何演進？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產業對其可制造心存疑慮，根據imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明，這家研究巨頭開發了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法，解決了制造難題... （來源：技術文章頻道）
晶體管 2025-6-19 16:12
本文作者：中國科學院微電子研究所研究員葉甜春、苑朋朋、清華大學朱煜、集成電路裝備創新聯盟張國銘、集成電路設計創新聯盟杜曉黎、集成電路零部件創新聯盟雷震霖 面向“十五五”，我國半導體裝備產業面臨技術封鎖與供應鏈脫鉤的雙重挑戰，需從“追趕替代”轉向“路徑創新... （來源：技術文章頻道）
半導體裝備 2025-6-13 13:22
安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，本文將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介 碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的... （來源：技術文章頻道）
SiC 2025-6-13 10:28
當今的電源設計要求高效率和高功率密度。因此，設計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉換拓撲。 GaN 可實現高頻開關，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術相比，GaN 還可降低開關、柵極驅動和反向恢復損耗，從而提高電源設計效率。 您可以使用 650V GaN ... （來源：技術文章頻道）
TOLL 封裝 GaN 電源設計TI 2025-6-4 16:08
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